光检测器和光接收机.pptxVIP

第五章光检测器和光接收机5．1光检测器5．1．1光检测的原理5．1．2PIN光电二极管5．1．3雪崩光电二极管（APD）

5．2光接收机5．2．1数字光接收机的基本组成5．2．2数字光接收机的噪声5．2．3误码率5．2．4灵敏度5．2．5动态范围

5．1光检测器21光检测器是光接收机的关键器件。常用的光检测器：雪崩二极管功能:将接受到的光信号转化成电信号，在电路中形成随着入射光强弱变化而变化的电流。PIN光电二极管43

5．1．1光检测的原理一.PN结的光电效应当PN结上加有反向偏压时，外加电场的方向和空间电荷区里电场的方向相同，因此在空间电荷区里载流子基本耗尽了，这个区域称为耗尽区。光电二极管（PD）是一个工作在反向偏压下的PN结二极管，它的工作原理可用光电效应来解释。

当光束入射到PN结上，且光子能量大于半导体材料的禁带宽度时，价带上的电子可以吸收光子而跃迁到导带，结果产生一个电子-空穴对。01当连接的电路闭合时,N区过剩的电子通过外部电路流向P区，P区的空穴流向N区，便形成了光生电流。当入射光功率变化时，光生电流也随之线形变化，从而把光信号转化成电流信号。02如果光生的电子-空穴对在耗尽区产生，那么在电场的作用下，电子将向N区漂移，而空穴将向P区漂移。当与P层和N层连接的电路开路时，便在两端产生产生电动势，这种效应称为光电效应。03

注意：如果入射光子的能量小于时，不论入射光有多么强，光电效应也不会发生。即光电效应必须满足条件或式中：是真空中的光速；是入射光的波长；h是普朗克常量；是材料的禁带宽度。

Si材料制作的PIN光电二极管，≈1.06umGe材料制作的PIN光电二极管，≈1.6um

原因:当入射光波长很短时，材料的吸收系数变得很大，结果使大量的入射光子在光电二极管的表面层(如P区)就被吸收。

光电二极管的表面层往往存在一个零电场的区域,当电子-空穴对在表面层（如P区）里产生时，少数载流子首先要扩散到耗尽层，然后才能被外电路收集。但在表面层区域，少数载流子的寿命时间很短，扩散速度又慢，电子-空穴对往往在被检测器电路收集以前就已被复合掉，从而使检测器的光电转换效率降低。Si材料PIN光电二极管，波长响应范围：0.5~1.0umGe和InGaAs材料PIN光电二极管,波长响应范围：1.1~1.6um光电二极管的波长响应范围:

5．1．2PIN光电二极管

A为了提高光电转换效率，最好使所有的入射光落在作用区（耗尽区内），必须采取如下措施：B减小入射表面的反射率；C尽量减小光子在表面层被吸收的可能性，增加耗尽区的宽度，使光子在耗尽区被充分吸收。DPIN光电二极管就是基于此种设计思想的一种器件。

PIN光电二极管的结构PN结的中间是一个接近本征，掺杂很低的N区，称为I层，I层很厚。两侧是掺杂浓度很高的P型和N型半导体，用P+和N+表示，P+层和N+层很薄。则在P+层和I层之间形成了一个耗尽层，通过调整材料的掺杂浓度和加上适当的反向偏压，就可以将耗尽层拓宽到整个I层。由于P+层和N+层都很薄，这样耗尽区几乎占据了整个PN结，光在零电场区被吸收的可能性很小，从而提高光电转换效率。

二．PIN光电二极管的基本特性

1.光电转换效率响应度：定义为输出光生电流和入射光功率的比值。式中为入射光功率，为光生电流，为光子能量，为电子电荷。

量子效率和响应度取决于材料的特性和器件的结构。假设:器件表面反射率为零；P层和N层对量子效率的贡献为零；仅仅耗尽区（I区）里吸收的光子才能有效的转化成光电流。则PIN光电二极管的量子效率可近似表示为：式中和分别为耗尽区（I区）的吸收系数和厚度。可见，当1时，所以为提高量子效率，I层的厚度要足够大。

2.暗电流暗电流Id：是在反向偏压条件下，没有入射光时，光电二极管产生的反向电流。01包括：晶体材料表面缺陷形成的泄漏电流和载流子热扩散形成的本征暗电流。02暗电流与光电二极管的材料和结构有关03例如：Si材料的PIN，Id1nA；Ge材料的PIN，Id100nA。04

噪声噪声是反映光电二极管特性的一个重要参数，它直接影响光接收机的灵敏度光电二极管的噪声:包括散粒噪声和热噪声。噪声通常用均方噪声电流(在1Ω负载上消耗的噪声功率)来描述。12

散粒噪声：是由于带电粒子产生和运动的随机性而引起的一种具有均匀频谱的白噪声。包括:量子噪声、暗电流噪声、漏电流噪声量子噪声：是由于光电子产生和收集的统计特性造成的。量子噪声电流的均方值:其中：IP为平均光电流；e为电子电荷；Δf为