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高Al组分AlGaN材料光学偏振特性及其调控策略研究

一、引言

1.1研究背景与意义

随着半导体材料技术的迅猛发展，宽禁带半导体材料在光电器件领域展现出了巨大的应用潜力。其中，高Al组分AlGaN材料作为一种重要的宽禁带半导体，因其独特的物理性质，在深紫外发光二极管（DUV-LED）、紫外探测器、激光器等光电器件中扮演着关键角色。

在深紫外发光二极管中，高Al组分AlGaN材料被广泛应用于有源区的制备。通过精确控制Al组分的比例，可以有效地调节器件的发光波长，使其覆盖200-280nm的深紫外波段。这一特性使得DUV-LED在杀菌消毒、水净化、生化探测等领域具有重要应用。例如，在杀菌消毒方面，DUV-LED能够高效地破坏细菌和病毒的DNA或RNA结构，从而实现快速、安全的消毒过程，相较于传统的汞灯消毒方式，具有环保、寿命长、体积小等优势；在水净化领域，DUV-LED可以去除水中的有害物质和微生物，保障饮用水的安全；在生化探测中，DUV-LED作为激发光源，能够实现对生物分子和化学物质的高灵敏度检测，为生物医学研究和环境监测提供了有力的工具。

在紫外探测器领域，高Al组分AlGaN材料凭借其宽禁带特性，对深紫外光具有良好的吸收能力和快速的响应速度。基于高Al组分AlGaN材料制备的紫外探测器，能够实现对深紫外光的高灵敏度探测，在军事、安防、天文观测等领域发挥着重要作用。在军事领域，紫外探测器可用于导弹预警、目标探测与识别等；在安防领域，可用于监控和检测非法入侵行为；在天文观测中，能够探测宇宙中的深紫外辐射，为研究宇宙演化和天体物理提供重要的数据支持。

材料的光学偏振特性对光电器件的性能有着至关重要的影响。在高Al组分AlGaN材料中，由于其晶体结构的对称性和内部应力分布等因素，存在着明显的光学各向异性，导致其光学偏振特性较为复杂。这种光学偏振特性直接影响着光电器件的发光效率、光提取效率、响应速度等关键性能指标。在DUV-LED中，光学偏振特性会影响光子的发射方向和偏振态，进而影响光提取效率。若光子的发射方向与器件的出光方向不一致，或者偏振态不利于光的传输和提取，就会导致大量光子被吸收或散射，从而降低光提取效率，限制了器件的发光性能。

调控高Al组分AlGaN材料的光学偏振特性具有重要的现实意义。通过有效的调控手段，可以优化光电器件的性能，提高其发光效率、光提取效率和响应速度等。在DUV-LED中，通过调控光学偏振特性，增强垂直出射的光分量，减少侧面出射的光损失，从而提高光提取效率，实现更高的发光强度和更低的功耗，满足实际应用对高效深紫外光源的需求；在紫外探测器中，调控光学偏振特性可以提高探测器对特定偏振态光的响应灵敏度，增强对目标信号的探测能力，提高探测精度和可靠性。此外，对高Al组分AlGaN材料光学偏振特性的深入研究，还能为新型光电器件的设计和开发提供理论基础，推动半导体光电子技术的进一步发展，拓展其在更多领域的应用。

1.2研究现状

近年来，高Al组分AlGaN材料的研究取得了显著进展。在材料生长方面，金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术已成为制备高质量高Al组分AlGaN材料的主流方法。通过精确控制生长参数，如温度、压力、气体流量等，可以实现对AlGaN材料中Al组分、晶体质量和缺陷密度的有效调控。一些研究团队通过优化MOCVD生长工艺，成功制备出Al组分高达80%以上的高质量AlGaN材料，其晶体结构完整，缺陷密度低，为高性能光电器件的制备提供了优质的材料基础。然而，随着Al组分的增加，材料的生长难度也随之增大，容易出现诸如位错、堆垛层错等晶体缺陷，这些缺陷会严重影响材料的光学和电学性能，如何进一步降低高Al组分AlGaN材料中的缺陷密度，仍然是材料生长领域面临的一大挑战。

在光学偏振特性的研究方面，众多学者对高Al组分AlGaN材料的光学偏振特性展开了深入研究。研究发现，高Al组分AlGaN材料由于其纤锌矿晶体结构的特点，存在着较强的自发极化和压电极化效应，这导致材料在不同晶向的光学性质存在差异，表现出明显的光学各向异性。在c面生长的高Al组分AlGaN量子阱中，由于极化电场的作用，电子和空穴的波函数发生分离，使得光跃迁过程中产生的光辐射具有特定的偏振方向，其中横磁（TM）模式的发光占比较高，而横电（TE）模式的发光相对较弱。这种偏振特性对光电器件的性能有着重要影响，如在DUV-LED中，高比例的TM模式发光会导致光的侧向出射，降低光提取效率。为了深入理解高Al组分AlGaN材料的光学偏振特性，研究人员采用了多种