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2月1+X集成电路理论习题库
一、单选题(共40题,每题1分,共40分)
1.题目:重力式分选机进行自动上料时,进入上料架,上料夹具准备夹取的料管中的芯片位置()要求:()。
选项(A)有;芯片印章在上面
选项(B)有;芯片印章在下面
选项(C)无;需要等待料管筛选
选项(D)无;进入上料的芯片位置没有要求
参考答案:【A】
详解:重力式分选机进行上料时,进入上料架,上料夹具准备夹取的料管中的芯片位置要求芯片印章朝上,便于后期操作。
2.题目:防静电点检的目的是()。
选项(A)检测进入车间人员的体重与身体状况
选项(B)指纹检测
选项(C)检测人体带有的静电是否超出进入车间的标准
选项(D)防止灰尘或静电的产生
参考答案:【C】
详解:防静电点检的目的是检测人体带有的静电是否超出进入车间的标准,没有A、B、D选项所述的功能;规范着装的目的是防止人体灰尘的散落或静电的产生。
3.题目:晶圆检测工艺中,6英寸的晶圆进行晶圆墨点烘烤时,烘烤时长一般为()分钟。
选项(A)20
选项(B)1
选项(C)5
选项(D)10
参考答案:【C】
4.题目:元器件的标志方向应按照图纸规定的要求,若装配图上没有指明方向,则应使标记向外易于辨认,并按照()的顺序读出。
选项(A)从右到左、从下到上
选项(B)从左到右、从下到上
选项(C)从右到左、从上到下
选项(D)从左到右、从上到下
参考答案:【B】
5.题目:在集成电路中,将掩膜版上的图形位置及几何尺寸转移到光刻胶上的工艺是()。
选项(A)金属化
选项(B)光刻
选项(C)刻蚀
选项(D)薄膜制备
参考答案:【B】
详解:在集成电路中,将掩膜版上的图形位置及几何尺寸转移到光刻胶上的工艺是光刻。
6.题目:完善的精馏技术可将杂质总量降低到()量级。
选项(A)10-17~10-20
选项(B)10-5~10-7
选项(C)10-2~10-5
选项(D)10-7~10-10
参考答案:【D】
详解:提纯四氯化硅通常使用精馏法。完善的精馏技术可将杂质总量降低到10-7~10-10量级。
7.题目:自定义元件库需与原理图文件放在同一()中。
选项(A)Navigator
选项(B)Project
选项(C)Message
选项(D)Target
参考答案:【B】
详解:自定义元件库需与原理图文件放在同一项目(Project)中,这样便于统一管理和调用相关文件,其他选项不符合要求。
8.题目:晶圆扎针测试在测到一定数量时,需要检查扎针情况。若发现针痕有异常,需如何处理()。
选项(A)继续扎针测试
选项(B)重新输入晶圆信息
选项(C)记录测试结果
选项(D)重新设置扎针深度或扎针位置
参考答案:【D】
详解:当发现针痕有异常时,很可能是扎针深度或扎针位置不准确导致的,所以需要重新设置扎针深度或扎针位置来解决问题,而不是重新输入晶圆信息、继续扎针测试或者直接记录测试结果。
9.题目:LK32T102单片机内部有一个()ADC。
选项(A)24位
选项(B)8位
选项(C)18位
选项(D)12位
参考答案:【D】
详解:该单片机内部有一个10位逐次逼近型ADC,10位大于8位,所以答案选B。
10.题目:晶圆检测工艺中,在进行打点工序以后,需要进行的工序是()。
选项(A)真空入库
选项(B)打点
选项(C)外观检查
选项(D)扎针测试
参考答案:【C】
详解:导片→上片→加温、扎针调试→扎针测试→打点→烘烤→外检→真空入库
11.题目:利用平移式分选设备进行芯片分选时,分选环节的流程是()。
选项(A)吸嘴吸取芯片→分选→收料
选项(B)分选→吸嘴吸取芯片→收料
选项(C)分选→收料→吸嘴吸取芯片
选项(D)吸嘴吸取芯片→收料→分选
参考答案:【A】
详解:在利用平移式分选设备进行芯片分选时,首先吸嘴吸取芯片,然后对芯片进行分选操作,最后将分选好的芯片进行收料,所以流程是吸嘴吸取芯片→分选→收料,答案选B。
12.题目:编带检查完后,需要以最小内盒数为单位拆批打印标签,一式()份。
选项(A)1
选项(B)2
选项(C)4
选项(D)3
参考答案:【D】
详解:编带检查完后,需要以最小内盒数为单位拆批打印标签,一式三份。
13.题目:添加连线时,在先的起点处()鼠标,移动光标,在线的终点()鼠标完成连线绘制。
选项(A)单击、单击
选项(B)双击、单击
选项(C)单击、双击
选项(D)双击、双击
参考答案:【C】
详解:在添加连线时,首先需要确定起点位置,此时单击鼠标即可。然后移动光标到终点位置,最后双击鼠标完成连线绘制,所以是先单击起点,再双击终点。
14.题目:重力式外观检查是在()环节之前进行的。
选项(A)测试
选项(B)真空包装
选项(C)分选
选项(D)编带
参
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