1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 办公文档
  5. 说明文书

2025《经典SOI LDMOS器件电学性能分析概述》2000字.docx

2025《经典SOI LDMOS器件电学性能分析概述》2000字.docx

    1. 1、本文档共4页，其中可免费阅读3页，需付费49金币后方可阅读剩余内容。
    2. 2、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。
    3. 3、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
    4. 4、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
    查看更多

    经典SOILDMOS器件电学性能分析概述

    目录

    TOC\o1-3\h\u276771经典结构的击穿电压 1

    315192经典结构的正向特性 2

    275393经典结构的阈值电压 3

    在体硅CMOS电路中，器件之间的隔离主要是通过PN结反偏的阱隔离来实现，有源层与衬底之间的隔离主要通过反偏的PN结实现ADDINNE.Ref.{FF5F2936-E30A-4BF4-B96C-364EBB99277C}[17]。而在SOICMOS电路中，器件之间以及有源层与衬底之间的隔离主要通过绝缘层实现，各个部分被完全隔离。SOI技术避免阱隔离所形成的寄生PN结电容

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    02127123006 + 关注
    实名认证
    内容提供者

    关注原创力文档

    咨询Ta 进入空间

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >