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2025年电力电子校招题目及答案

一、单项选择题（每题2分，共10题）

1.电力电子器件按照控制程度可分为（）。

A.不可控、半控型、全控型B.大功率、中功率、小功率C.单向导电、双向导电

答案：A

2.下列哪种电力电子器件属于电流控制型（）。

A.MOSFETB.IGBTC.GTR

答案：C

3.在单相半波可控整流电路中，电阻性负载，控制角α的移相范围是（）。

A.0-90°B.0-180°C.90-180°

答案：B

4.三相桥式全控整流电路，带大电感负载时，其触发角α的移相范围是（）。

A.0-90°B.0-120°C.0-150°

答案：A

5.电力电子电路中，逆变电路是（）。

A.AC-DC变换B.DC-AC变换C.DC-DC变换

答案：B

6.下列哪种软开关技术是零电压开通的（）。

A.准谐振电路B.零开关PWM电路C.零转换PWM电路

答案：A

7.对于IGBT，以下说法错误的是（）。

A.是复合型器件B.具有输入阻抗高的特点C.只能用于低频电路

答案：C

8.单相全波可控整流电路，若变压器二次侧电压有效值为U2，则输出电压平均值Ud为（）（α为控制角）。

A.0.9U2cosαB.0.45U2cosαC.0.9U2(1+cosα)/2

答案：A

9.以下不属于电力电子技术应用领域的是（）。

A.工业加热B.新能源发电C.传统化石能源开采

答案：C

10.在电力电子变换电路中，PWM控制技术是指（）。

A.脉冲宽度调制B.脉冲频率调制C.脉冲幅度调制

答案：A

二、多项选择题（每题2分，共10题）

1.电力电子器件的主要损耗包括（）。

A.通态损耗B.断态损耗C.开关损耗D.门极损耗

答案：ABC

2.以下属于全控型电力电子器件的有（）。

A.GTOB.MOSFETC.IGBTD.SCR

答案：ABC

3.三相半波可控整流电路的特点有（）。

A.变压器二次侧电流含有直流分量B.输出电压脉动较大C.需用三个晶闸管D.触发电路较简单

答案：ABC

4.下列哪些电路可以实现DC-DC变换（）。

A.降压斩波电路B.升压斩波电路C.升降压斩波电路D.全桥逆变电路

答案：ABC

5.影响电力电子器件散热的因素有（）。

A.散热片材质B.散热片面积C.环境温度D.器件封装形式

答案：ABCD

6.软开关技术的优点包括（）。

A.降低开关损耗B.减少电磁干扰C.提高开关频率D.降低器件成本

答案：ABC

7.在逆变电路中，常用的换流方式有（）。

A.器件换流B.电网换流C.负载换流D.强迫换流

答案：ABCD

8.对于电力电子装置的电磁兼容性，以下措施可行的有（）。

A.采用屏蔽措施B.合理布线C.滤波D.选用低电磁干扰的器件

答案：ABCD

9.以下关于电力电子技术发展趋势的说法正确的有（）。

A.高频化B.模块化C.数字化D.智能化

答案：ABCD

10.单相桥式全控整流电路带电阻性负载时，以下关于输出电压的说法正确的是（）。

A.输出电压平均值与控制角有关B.输出电压波形为脉动直流C.输出电压最大值为0.9倍的变压器二次侧电压D.控制角越大，输出电压平均值越小

答案：ABD

三、判断题（每题2分，共10题）

1.SCR一旦导通，门极就失去控制作用。（）

答案：对

2.三相桥式全控整流电路在任何时刻都必须有两个晶闸管同时导通。（）

答案：错

3.MOSFET的开关速度比IGBT快。（）

答案：对

4.直流斩波电路只能实现降压功能。（）

答案：错

5.负载换流只适用于容性负载。（）

答案：错

6.电力电子器件的结温越高，其性能越好。（）

答案：错

7.单相全波可控整流电路中，两个晶闸管的触发脉冲是同时触发的。（）

答案：错

8.零电流开关技术是在开关管开通时电流为零。（）

答案：错

9.电力电子装置的效率总是小于1。（）

答案：对

10.逆变失败是指逆变电路不能正常工作，把直流电变成交流电的过程失败。（）

答案：对

四、简答题（每题5分，共4题）

1.简述电力电子器件的分类方法。

答案：按控制程度分为不可控、半控型、全控型；按器件的开关特性分为脉冲触发型和