第三讲发光二极管光取出原理及方法.pptVIP

四、倒金字塔形LED减小光在LED内部反射而造成的有源层及自由载流子对光的吸收。光在内部反射的次数越多，路径越长，造成的损失越大。通过改变LED的几何形状，可以缩短光在LED内部反射的路程。倒金字塔形LED这种新技术在1999年被提出。它是在透明衬底LED基础上的再次加工。将bonding后的LED晶片倒置，切去四个方向的下角，如图3（a）所示，斜面与垂直方向的夹角为35度。图3（b）是横截面的示意图，它演示了光出射的路径。第30页，共59页，星期日，2025年，2月5日LED的这种几何外形可以使内部反射的光从侧壁的内表面再次传播到上表面，而以小于临界角的角度出射。同时使那些传播到上表面大于临界角的光重新从侧面出射。这两种过程能同时减小光在内部传播的路程。第31页，共59页，星期日，2025年，2月5日第32页，共59页，星期日，2025年，2月5日五、表面粗化技术机理：将LED的表面做得适当粗糙，其粗糙尺度大约在出射光的半波长，当光射到这个不均匀的媒体介质表面时，即使在角度大于临界角的情况下，光线也不一定被全反射，射到表面的光以一定概率以随机的角度散射出来。第33页，共59页，星期日，2025年，2月5日ITO表面粗化工艺是:用光刻胶对部分ITO表面进行保护，接着用等离子体干法刻蚀对ITO表面进行粗化。实例：ITO表面粗化对出光效率的影响第34页，共59页，星期日，2025年，2月5日第35页，共59页，星期日，2025年，2月5日第36页，共59页，星期日，2025年，2月5日从图中的数据可以看出在相同的条件下，表面粗化的LED芯片的发光强度明显高于传统的LED芯片。在20mA的驱动电流下，表面粗化的LED芯片的发光强度大约为120mcd，但传统的LED芯片大约只有70mcd。ITO薄膜的表面粗化工艺使LED芯片的发光强度提高了70%。第37页，共59页，星期日，2025年，2月5日六、更换衬底AlGaInP和AlGaInN基二极管外延片所用的衬底分别为GaAs和蓝宝石,它们的导热性能都较差.为了更有效地散热和降低结温,可通过除掉原来用于生长外延层的衬底,将外延层键合转移到导电和导热性能良好的衬底上,如铜、铝、金锡合金、氮化铝等.第38页，共59页，星期日，2025年，2月5日蓝宝石衬底剥离技术键合剥离技术主要由3个关键工艺步骤完成:(1)在外延表面淀积键合金属层如Pd100nm,以及在键合底板上如Si底板表面淀积一层1000nm的铟;第39页，共59页，星期日，2025年，2月5日(2)将外延片低温键合到底板上;第40页，共59页，星期日，2025年，2月5日(3)用KrF脉冲准分子激光器照射蓝宝石底面,使蓝宝石和GaN界面的GaN产生热分解,再通过加热(40℃)使蓝宝石脱离GaN.第41页，共59页，星期日，2025年，2月5日2003年,Osram运用键合、激光剥离、表面微结构化和使用全反射镜等技术途径,使其最新研发的ThinGaNTO－PLED芯片出光效率达到75%。在20mA驱动电流下,发光功率已达13mW(470nm),封成的白光二极管发光效率大于50lm/W,是传统芯片的3倍。大功率照明LED芯片在350mA驱动电流下,芯片的发光功率达182mW(470nm),封成白光二极管后,产生43lm,发光效率约40lm/W。第42页，共59页，星期日，2025年，2月5日第1页，共59页，星期日，2025年，2月5日2.1发光二极管光取出原理辐射量－－辐射发光效率感光量－－LED发光效率发光效率K第2页，共59页，星期日，2025年，2月5日LED发光效率光子数与电子空穴复合数之比电子空穴对能量与外部电源功率之比第3页，共59页，星期日，2025年，2月5日电光转换效率(Wall-plugEfficiency)：半导体发光二极管的辐射发光效率，是光的输出功率于输入电流功率之比。Popt:光输出功率；Cex：光取出效率；I与V分别为加在LED两端的电流和电压。因此，在输入功率一定的情况下，要改进电光转换效率就要改进内部量子效率和高的光取出效率。第4页，共59页，星期日，2025年，2月5日影响光取出效率的三个原因1，材料本身的吸收。解决措施：厚的窗口层（windowlayer）或电流分布层使电流均匀分布并增大表面透过率；用电流局限技术（CurrentBlocking）使电流不在电接触区域下通过；用透明或不吸光的材料做衬底或者在活性层下设置反射镜将光反射至表面2，菲涅尔损失：当光从折射率为n1的某种物质到折射率为n2的某种物质时