第8章光电式传感器2.ppt

硅（Si）光敏晶体极管一般都是NPN结构，光照射在集电结的基区，产生电子、空穴，光生电子被拉向集电极，基区留下正电荷（空穴），使基极与发射极之间的电压升高，这样，发射极便有大量电子经基极流向集电极，形成三极管输出电流，使晶体管具有电流增益。在负载电阻RL上的输出电压为：——晶体管电流放大系数8.2光电器件4.光敏二极管和光敏三极管②光敏三极管第30页，共65页，星期日，2025年，2月5日补应用8.2光电器件4.光敏二极管和光敏三极管第31页，共65页，星期日，2025年，2月5日光电池工作原理也是基于光生伏特效应，可以直接将光能转换成电能的器件。有光线作用时就是电源，广泛用于宇航电源，另一类用于检测和自动控制等。光电池种类很多，有硒光电池、硅光电池、砷化镓、氧化铜等等。8.2光电器件5.光电池（有源器件）光电池符号第32页，共65页，星期日，2025年，2月5日8.2光电器件5.光电池（有源器件）结构结构：光电池实质是一个大面积PN结，上电极为栅状受光电极，下电极是一层衬底铝。原理：当光照射PN结的一个面时，电子——空穴对迅速扩散，在结电场作用下建立一个与光照强度有关的电动势。一般可产生0.2V～0.6V电压50mA电流。光电池结构光电池工作原理图第33页，共65页，星期日，2025年，2月5日①光照特性开路电压短路电流②光谱特性③频率特性④温度特性8.2光电器件5.光电池（有源器件）特性第34页，共65页，星期日，2025年，2月5日电路连接光电池作为控制元件时通常接非线性负载，控制晶体管工作。光电池作为电源使用时，根据使用要求进行连接。需要高电压时应将光电池串联使用；需要大电流时应将光电池并联使用。8.2光电器件5.光电池（有源器件）第35页，共65页，星期日，2025年，2月5日硅管的发射结导通电压为0.6V～0.7V，光电池的0.5V电压起不到控制作用，可将两个光电池串联后接入基极，或用偏压电阻产生附加电压。有光照度变化时，引起基极电流Ib变化，集电极电流发生β倍的变化。电流Ic与光照近似线性关系。第36页，共65页，星期日，2025年，2月5日8.2光电器件6.光电耦合器件光电耦合器件是由发光元件（如发光二极管）和光电接收元件合并使用,以光作为媒介传递信号的光电器件。光电耦合器中的发光元件通常是半导体的发光二极管,光电接收元件有光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管或光可控硅等。根据其结构和用途不同，又可分为用于实现电隔离的光电耦合器和用于检测有无物体的光电开关。第37页，共65页，星期日，2025年，2月5日又称光电隔离器:“光耦”器件由发光元件和接收光敏元件（光敏电阻、光敏二极管、晶体管等）集成在一起，发光管辐射可见光或红外光，受光器件在光辐射作用下控制输出电流大小。通过电——光、光——电，两次转换进行输入输出耦合。8.2光电器件6.光电耦合器件(光电耦合器)第38页，共65页，星期日，2025年，2月5日光电耦合器的发光和接收元件都封装在一个外壳内,一般有金属封装和塑料封装两种。耦合器常见的组合形式如下图所示。光电耦合器实际上是一个电量隔离转换器,它具有抗干扰性能和单向信号传输功能,广泛应用在电路隔离、电平转换、噪声抑制、无触点开关等场合.8.2光电器件6.光电耦合器件(光电耦合器)第39页，共65页，星期日，2025年，2月5日光电耦合器用于天然气点火器电路8.2光电器件6.光电耦合器件(光电耦合器)第40页，共65页，星期日，2025年，2月5日透射式，当不透明物质位于中间时会阻断光路，接受器产生相应的电信号。反射式，光电开关的发射与接受器件光轴在同一平面上，以某一角度相交，交点处为待测点，当有物体经过待测点时，接受元件接收到物体表面反射的光线。8.2光电器件6.光电耦合器件(光电开关)????光电开关结构与外形第41页，共65页，星期日，2025年，2月5日6.应用(鼠标)电路板上的光电收发器（感应垂直轨迹转轴和水平轨迹转轴上的圆盘光栅的移动，光敏三极管在接收发光二极管发出的光时被圆盘光栅间断地阻挡，产生与二维空间位移相关的脉冲信号。第42页，共65页，星期日，2025年，2月5日当光电鼠标移动时，其移动轨迹便会被记录为一组高速拍摄的连贯图像。最后利用光电鼠标内部的一块专用图像分析芯片（DSP，即数字微处理器）对移动轨迹上摄取的一系列图像进行分析处理，通过对这些图