SiC MOSFET体二极管反向恢复振荡机理研究与抑制.pdfVIP

摘要

碳化硅（SiC）功率MOSFET具有低导通电阻、高开关速度以及高工作温度等优势，

被广泛应用于功率逆变器和整流器中。然而SiCMOSFET体二极管在电路应用中存在一

定的反向恢复损耗，而且随着SiCMOSFET电压等级和开关速度的不断提升，体二极管

反向恢复过程中由寄生元件引起的电流与电压振荡愈发严重，这逐渐成为限制碳化硅器

件在高压、高频领域应用的关键因素。因此，研究SiCMOSFET体二极管在反向恢复中

的振荡行为具有重要意义。

本文探究了半桥电路中SiCMOSFET体二极管反向恢复振荡的机理。首先，明确了

反向恢复振荡的初始条件，揭示了反向恢复振荡的本质原因是电路中的电阻、电容和电

感元件引起的RLC二阶电路谐振；随后，根据器件封装形式建立了有无源极寄生电感

的两种RLC二阶电路等效模型；然后，结合振荡的初始条件推导了反向恢复电压与电

流振荡方程，阐述了模型参数对电压振荡幅值与振荡持续时间的影响，并定性分析了栅

极驱动回路参数和功率回路参数对SiCMOSFET体二极管反向恢复振荡的影响。

本文研究明确了不同外部电路条件和器件内部参数对反向恢复振荡的影响，包括负

载电流、母线电压、续流管栅压、续流管输出电容、温度、开关管栅阻等。研究发现：

随着负载电流、续流管输出电容与温度的增加，反向恢复振荡加剧；续流管栅压在负压

关断下的反向恢复振荡比零压关断更为严重；开关管栅阻增加，反向恢复振荡减缓；不

同母线电压对反向恢复振荡影响不明显。

此外，基于SiCMOSFET体二极管反向恢复振荡的机理研究，本文提出了抑制反向

恢复振荡的方案，包括在器件级的优化中调整P型体区底部掺杂、元胞尺寸和终端区结

构，在电路级的优化中增加RC缓冲器和选用集成肖特基二极管的SiCMOSFET器件。

对不同方案的优化效果进行了综合比较，结果显示，在电路中增加RC缓冲器为最佳方

案，可以实现振荡尖峰抑制10%，振荡持续时间缩短76%，为SiCMOSFET体二极管反

向恢复振荡的研究提供了指导。

关键词：SiCMOSFET，体二极管，反向恢复，振荡，RLC电路

Abstract

Siliconcarbide(SiC)powerMOSFEThastheadvantagesoflowon-resistance,high

switchingspeedandhighoperatingtemperature,andiswidelyusedinpowerinvertersand

rectifiers.However,thereisacertainreverserecoverylossinthecircuitapplicationofSiC

MOSFETbodydiode,andwiththecontinuousimprovementofvoltagelevelandswitching

speedofSiCMOSFET,thecurrentandvoltageoscillationcausedbyparasiticelementsinthe

processofreverserecoveryofbodydiodebecomemoreandmoreserious.Thishasgradually

becomeakeyfactorlimitingtheapplicationofSiCdevicesinhighvoltageandhighfrequency

fields.Therefore,itisofgreatsignificancetostudytheoscillationbehaviorofSiCMOSFET

bodydiodeinreverserecovery.

Inthisthesis,themechanismofreverserecoveryoscillationofSiCMOSFETbodydiode

inhalf-bridgecircuitisinvestigated.