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3D NAND后段金属互连工艺关键问题与优化策略研究.docx

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    3DNAND后段金属互连工艺关键问题与优化策略研究

    一、引言

    1.1研究背景与意义

    在当今数字化信息爆炸的时代，数据存储的需求呈现出爆发式增长。无论是个人用户对大容量存储设备的追求，还是企业级数据中心对海量数据的处理与存储，都对存储技术提出了更高的要求。3DNAND技术作为存储领域的关键突破，应运而生并迅速占据了重要地位。

    自2013年三星率先量产3DNAND产品以来，这项技术经历了飞速的发展。与传统的2DNAND技术相比，3DNAND通过在垂直方向上堆叠多个存储单元层，突破了平面布局的限制，极大地提高了存储密度。这使得在有限的芯片面积内，可以实现更大的存储容量，有

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