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*增加产率—晶片可直插放置许多片（100-200）工艺对温度灵敏,但是采用温度控制好的热壁式系统可解决温度控制问题气流耗尽仍是影响均匀性的因素，可以设定温差5～25?C，或分段进气*Batchprocessing：同时100-200片薄膜厚度均匀性好可以精确控制薄膜的成份和结构台阶覆盖性较好低温淀积过程淀积速率快生产效率高生产成本低LPCVD法的主要特点有时，淀积温度需很低，薄膜质量要求又很高。如：在形成的Al层上面淀积介质等。解决办法：等离子增强化学气相淀积PECVD*多晶硅淀积方法
LPCVD，主要用硅烷法，即在600-650℃温度
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