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二极管集成电路失效模式：漏电或短路，击穿特性劣变，正向压降劣变，开路可高阻失效机理：电迁移，热载流子效应，与时间相关的介质击穿(TDDB)，表面氧化层缺陷，绝缘层缺陷，外延层缺陷声表面波器件MEMS压力传感器MEMS器件的主要失效机理1.粘附----两个光滑表面相接触时，在力作用下粘附在一起的现象；2.蠕变----机械应力作用下原子缓慢运动的现象；变形、空洞；3.微粒污染----阻碍器件的机械运动；4.磨损----尺寸超差，碎片卡入；5.疲劳断裂----疲劳裂纹扩展失效。真空电子器件(vacuumelectro
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