Al_(2)O_(3)层厚度对PbZrO_(3)_Al_(2)O_(3)异质结薄膜储能性能的影响.pdfVIP

第４６卷第１期沈阳工业大学学报Ｖｏｌ４６Ｎｏ１

２０２４年１月ＪｏｕｒｎａｌｏｆＳｈｅｎｙａｎｇＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙＪａｎ２０２４

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殏ＤＯＩ：１０．７６８８／ｊ．ｉｓｓｎ．１０００－１６４６．２０２４．０１．１３

材料科学与工程

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ＡｌＯ层厚度对ＰｂＺｒＯ／ＡｌＯ异质结薄膜

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储能性能的影响

王占杰，于海义，邵岩，王子权，白宇

（沈阳工业大学材料科学与工程学院，辽宁沈阳１１０８７０）

摘要：为了提高Ｐｔ／ＰｂＺｒＯ／Ｐｔ电介质电容器的储能密度，通过热蒸镀和自然氧化方法在Ｐｔ／Ｔｉ／

３

ＳｉＯ／Ｓｉ基板上沉积了厚度为０～１０ｎｍ的ＡｌＯ（ＡＯ）层，采用化学溶液沉积法制备ＰｂＺｒＯ薄膜，研

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究了ＡｌＯ层厚度对ＰｂＺｒＯ／ＡｌＯ（ＰＺＯ／ＡＯ）异质结薄膜储能性能的影响。结果表明：随着ＡＯ层

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厚度的增加，ＰＺＯ／ＡＯ异质结薄膜的击穿电场强度逐渐增大，极化电场电滞回线由反铁电特征转变

３

为铁电特征。当ＰＺＯ／ＡＯ异质结薄膜的ＡＯ层厚度为５ｎｍ时，储能密度最大值为２１２Ｊ／ｃｍ。

关键词：电介质电容器；ＰｂＺｒＯ薄膜；ＡｌＯ插层；铁电；反铁电；储能性能；热蒸镀；化学

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溶液沉积法

中图分类号：ＴＢ３４文献标志码：Ａ文章编号：１０００－１６４６（２０２４）０１－００７２－０５

ＥｆｆｅｃｔｏｆＡｌＯｌａｙｅｒｔｈｉｃｋｎｅｓｓｏｎｅｎｅｒｇｙｓｔｏｒａｇｅｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅｓｏｆ

２３

ＰｂＺｒＯ／ＡｌＯｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅｔｈｉｎｆｉｌｍｓ

３２３

ＷＡＮＧＺｈａｎｊｉｅ，ＹＵＨａｉｙｉ，ＳＨＡＯＹａｎ，ＷＡＮＧＺｉｑｕａｎ，ＢＡＩＹｕ

（ＳｃｈｏｏｌｏｆＭａｔｅｒｉａｌｓＳｃｉｅｎｃｅａｎｄＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，ＳｈｅｎｙａｎｇＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ｓｈｅｎｙａｎｇ１１０８７０，Ｌｉａｏｎｉｎｇ，Ｃｈｉｎａ）

Ａｂｓｔｒａｃｔ：ＩｎｏｒｄｅｒｔｏｉｍｐｒｏｖｅｔｈｅｅｎｅｒｇｙｓｔｏｒａｇｅｄｅｎｓｉｔｙｏｆＰｔ／ＰｂＺｒＯ／Ｐｔｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃｃａｐａｃｉｔｏｒｓ，ＰｂＺｒＯ／

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ＡｌＯｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅｔｈｉｎｆｉｌｍｓｗｅｒｅｐｒｅｐａｒｅｄｏｎｔｈｅＰｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ／Ｓｉｓｕｂｓｔｒａｔｅ，ｗｈｅｒｅｔｈｅＡｌＯｌａｙｅｒｓｗｉｔｈ

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ａｔｈｉｃｋｎｅｓｓｆｒｏｍ０ｎｍｔｏ１０ｎｍｗｅｒｅｄｅｐｏｓｉｔｅｄｂｙｔｈｅｒｍａｌｅ