柔性复合电介质GQDs_BTO_PVDF制备及介电储能性能研究.pdfVIP

第55卷第8期中南大学学报(自然科学版)Vol.55No.8

2024年8月JournalofCentralSouthUniversity(ScienceandTechnology)Aug.2024

DOI:10.11817/j.issn.1672-7207.2024.08.029

引用格式：熊崇浩,顾旭航,张帆,等.柔性复合电介质GQDs/BTO/PVDF制备及介电储能性能研究[J].中南大学学报(自然科学

版),2024,55(8):3180−3193.

Citation:XIONGChonghao,GUXuhang,ZHANGFan,etal.StudyonthepreparationandenergystorageperformanceofGQDs/BTO/

PVDFflexiblecompositedielectrics[J].JournalofCentralSouthUniversity(ScienceandTechnology),2024,55(8):3180−3193.

柔性复合电介质GQDs/BTO/PVDF制备及介电储能

性能研究

111233

熊崇浩，顾旭航，张帆，胡海龙，罗行，张斗

(1.中南大学资源加工与生物工程学院，湖南长沙，410083；

2.中南大学航空航天技术研究院，湖南长沙，410083；

3.中南大学粉末冶金研究院，湖南长沙，410083)

摘要：基于渗流阈值理论，采用FTIR、TEM、SEM、LCR数字电桥测试仪和铁电压电测试仪等测试技术，

探讨BTO含量和纳米量子点种类对GQDs/BTO/PVDF复合体系介电性能的影响。研究结果表明：随着BTO

质量分数的增加，体系的相对介电常数呈现先增后减的趋势，在BTO质量分数为10%时达到最大值290(5

kHz时)，而介电损耗则呈现出先减小后增大的变化规律；由于―NH2官能团的引入，GQDs的电子结构被

改变，从而提高了电荷传输效率；量子点材料的加入不仅能够维持高击穿场强，而且能提高BTO在基体中

的分散性和体系的相对介电常数，GQDs-NH/BTO/PVDF体系的介电性能优良，在5kHz时相对介电常数

2

达4713，有限元数值分析结果验证了介电性能的提升机理。GQDs-NH/BTO/PVDF复合膜在210kV/mm

2

3

的外加电场下，储能密度达2.57J/cm，能量效率达78.8%。

关键词：纳米量子点；介电储能；钛酸钡；石墨烯量子点；柔性介电材料

中图分类号：TB332；TD98文献标志码：A

文章编号：1672-7207（2024）08-3180-14

Studyonthepreparationandenergystorageperformanceof

GQDs/BTO/PVDFflexiblecompositedielectrics