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2009年入学试题
考试科目:832微电子器件
所有必须写在答题纸上,写在试卷和草稿纸上均无效。
一、填空题(60分)
1.写出PN结的内建电势功的表达式()。在常用的掺另
浓度范围和室温下,硅的Vbi约为(
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