模拟电子技术基础第三章二极管及其基本电路.pptVIP

(4)正向压降VF(5)动态电阻rd在规定的正向电流下，二极管的正向电压降。小电流硅二极管的正向压降在中等电流水平下，约0.5～0.8V；锗二极管约0.1～0.3V。反映了二极管正向特性曲线斜率的倒数。显然，rd与工作电流的大小有关，即rd=?VF/?IF第30页，共61页，星期日，2025年，2月5日半导体二极管图片第31页，共61页，星期日，2025年，2月5日半导体二极管图片第32页，共61页，星期日，2025年，2月5日3.4二极管的基本电路及其分析方法3.4.1简单二极管电路的图解分析方法3.4.2二极管电路的简化模型分析方法第33页，共61页，星期日，2025年，2月5日3.4.1简单二极管电路的图解分析方法二极管是一种非线性器件，因而其电路一般要采用非线性电路的分析方法，相对来说比较复杂，而图解分析法则较简单，但前提条件是已知二极管的V-I特性曲线。第34页，共61页，星期日，2025年，2月5日例3.4.1电路如图所示，已知二极管的V-I特性曲线、电源VDD和电阻R，求二极管两端电压vD和流过二极管的电流iD。解：由电路的KVL方程，可得即是一条斜率为-1/R的直线，称为负载线Q的坐标值（VD，ID）即为所求。Q点称为电路的工作点第35页，共61页，星期日，2025年，2月5日3.4.2二极管电路的简化模型分析方法1.二极管V-I特性的建模将指数模型分段线性化，得到二极管特性的等效模型。（1）理想模型（a）V-I特性（b）代表符号（c）正向偏置时的电路模型（d）反向偏置时的电路模型第36页，共61页，星期日，2025年，2月5日（2）恒压降模型（a）V-I特性（b）电路模型（3）折线模型（a）V-I特性（b）电路模型=0.5vvD=Vth+rDiD第37页，共61页，星期日，2025年，2月5日（4）小信号模型vs=0时,Q点称为静态工作点，反映直流时的工作状态。vs=Vmsin?t时（VmVDD）,将Q点附近小范围内的V-I特性线性化，得到小信号模型，即以Q点为切点的一条直线。第38页，共61页，星期日，2025年，2月5日过Q点的切线可以等效成一个微变电阻即根据得Q点处的微变电导常温下（T=300K）则（a）V-I特性（b）电路模型特别注意：小信号模型中的微变电阻rd与静态工作点Q有关。该模型用于二极管处于正向偏置条件下，且vDVT。第39页，共61页，星期日，2025年，2月5日2．模型分析法应用举例（1）整流电路（a）电路图（b）vs和vO的波形第40页，共61页，星期日，2025年，2月5日第41页，共61页，星期日，2025年，2月5日（2）静态工作情况分析理想模型（R=10k?）当VDD=10V时，恒压模型（硅二极管典型值）折线模型（硅二极管典型值）设当VDD=1V时,分析方法同上（a）简单二极管电路（b）习惯画法第42页，共61页，星期日，2025年，2月5日（3）限幅电路电路如图，R=1kΩ，VREF=3V，二极管为硅二极管。分别用理想模型和恒压降模型求解，当vI=6sin?tV时，绘出相应的输出电压vO的波形。第43页，共61页，星期日，2025年，2月5日第1页，共61页，星期日，2025年，2月5日3.1半导体的基本知识3.1.1半导体材料3.1.2半导体的共价键结构3.1.3本征半导体、空穴及其导电作用3.1.4杂质半导体第2页，共61页，星期日，2025年，2月5日3.1.1半导体材料根据物体导电能力(电阻率)的不同，来划分导体、绝缘体和半导体。典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。第3页，共61页，星期日，2025年，2月5日3.1.2半导体的共价键结构硅和锗的原子结构简化模型及晶体结构第4页，共61页，星期日，2025年，2月5日3.1.3本征半导体、空穴及其导电作用本征半导体——化学成分纯净的半导体。它在物理结构上呈单晶体形态。由于随机热振动致使共价键被打破而产生空穴－电子对第5页，共61页，星期日，2025年，2月5日电子-空穴对当导体处于热力学温度0K时，导体中没有自由电子。当温度升高或受到光的照射