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基于第一性原理的二维过渡金属硫化物及其异质结电子结构调控探秘

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代科技飞速发展的时代，高性能材料成为推动各个领域进步的关键因素。其中，二维材料及其异质结的研究逐渐成为材料科学领域的热点。二维过渡金属硫化物（TransitionMetalDichalcogenides，TMDs）作为一类重要的二维材料，以其独特的晶体结构和优异的物理性质，在众多领域展现出巨大的应用潜力。

二维过渡金属硫化物具有典型的层状结构，由过渡金属原子与硫族原子通过共价键结合而成，层间则通过较弱的范德华力相互作用。这种特殊的结构赋予了TMDs一系列优异的性能。在光电性能方面，不同的TMDs材料具有不同的带隙，如单层MoS?具有约1.8eV的直接带隙，使其在光电器件中表现出色，可用于制备高效的光电探测器、发光二极管等。在能源领域，TMDs的高理论比容量和良好的导电性，使其成为锂离子电池、钠离子电池等储能设备电极材料的潜在选择，有助于提升电池的能量密度和充放电性能。在催化领域，TMDs的边缘原子具有较高的活性，可作为高效的催化剂用于析氢反应（HER）、氧还原反应（ORR）等，有望降低能源转换过程中的成本并提高效率。此外，TMDs还具有良好的热稳定性和机械性能，为其在各种复杂环境下的应用提供了可能。

随着对材料性能要求的不断提高，单一的二维过渡金属硫化物往往难以满足所有需求。通过构建异质结，可以将不同材料的优势结合起来，进一步拓展其性能和应用范围。异质结是由两种或两种以上不同材料组成的界面结构，由于不同材料之间的晶格常数、电子结构等存在差异，在界面处会产生独特的物理现象，如能带弯曲、电荷转移等。这些现象能够有效地调控材料的电子结构，从而实现对材料电学、光学、催化等性能的优化。例如，将具有高载流子迁移率的石墨烯与TMDs结合形成的异质结，可显著提高电子的传输效率，有望应用于高速电子器件；而将具有不同带隙的TMDs材料组合成异质结，则可实现对光吸收和发射波长的精确调控，用于制备高性能的光电器件。

然而，二维过渡金属硫化物及其异质结的性能受到其电子结构的深刻影响，如何有效地调控其电子结构成为充分发挥这些材料性能优势的关键。实验手段虽然能够制备出各种TMDs及其异质结材料，并对其性能进行表征，但在原子尺度上深入理解电子结构的变化机制以及预测材料性能方面存在一定的局限性。

第一性原理计算作为一种基于量子力学原理的计算方法，无需借助任何实验参数，仅从基本的物理常数出发，就能对材料的原子结构、电子结构和物理性质进行精确的理论计算和模拟分析。在二维过渡金属硫化物及其异质结的研究中，第一性原理计算发挥着不可或缺的作用。通过第一性原理计算，可以深入探究TMDs的晶体结构与电子结构之间的内在联系，揭示不同相结构（如2H、1T、1T′等）的形成机制及其对电子性质的影响。对于TMDs异质结，第一性原理计算能够准确预测不同材料组合形成的异质结的能带排列方式（如I型、II型或III型），分析界面处的电荷转移和电子态分布情况，从而为设计具有特定性能的异质结提供理论指导。此外，第一性原理计算还可以模拟各种外部条件（如压力、电场、掺杂等）对TMDs及其异质结电子结构的调控作用，为实验上实现材料性能的优化提供理论依据和可行方案。

本研究旨在利用第一性原理计算，深入系统地研究二维过渡金属硫化物及其异质结的电子结构，并探索有效的电子结构调控方法。通过对TMDs及其异质结电子结构的精确计算和分析，揭示其内在的物理机制，为二维过渡金属硫化物的设计、制备以及在能源、光电子学、催化等领域的实际应用提供坚实的理论参考，推动相关领域的技术创新和发展。

1.2国内外研究现状

二维过渡金属硫化物（TMDs）及其异质结的研究在国内外均取得了丰硕的成果，研究范围涵盖了材料的制备、结构表征、性能研究以及应用探索等多个方面，尤其在电子结构调控领域，吸引了众多科研人员的关注。

在国外，众多顶尖科研团队在TMDs及其异质结的电子结构调控研究中处于前沿地位。例如，美国斯坦福大学的研究团队利用分子束外延（MBE）技术精确制备了高质量的二维过渡金属硫化物异质结，并通过扫描隧道显微镜（STM）和角分辨光电子能谱（ARPES）等先进实验技术，对异质结的原子结构和电子结构进行了深入研究。他们发现，通过精确控制异质结的界面原子排列和层间耦合，可以实现对电子结构的有效调控，进而显著改变材料的电学和光学性能。在理论计算方面，欧洲的一些研究小组运用第一性原理计算方法，系统地研究了不同过渡金属硫化物组合形成的异质结的电子结构和能带排列方式，为实验制备提供了重要的理论指导。他们的研究成果揭示了异质结界面处的电荷转移机制以及电子态分布与材料性能之间