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碳化硅单晶标准化发展研究报告

StandardizationDevelopmentReportonSiliconCarbide(SiC)SingleCrystals

摘要（Abstract）

碳化硅（SiC）单晶作为第三代半导体材料的核心基础，在电力电子器件领域展现出巨大的应用潜力。随着新能源汽车、光伏逆变器、轨道交通等行业的快速发展，SiC器件的市场需求呈现爆发式增长。本报告基于国内外碳化硅单晶产业的发展现状，系统分析了碳化硅单晶立项的目的与意义、适用范围及主要技术内容。报告指出，碳化硅单晶的标准化对保障供应链安全、提升产品质量、促进产业规模化发展具有重要意义。同时，报告详细介绍了4H-SiC单晶的技术要求、检测方法及行业应用，并展望了未来标准化工作的重点方向。

关键词（Keywords）：

碳化硅单晶（SiliconCarbideSingleCrystal）、4H-SiC、电力电子器件（PowerElectronicDevices）、标准化（Standardization）、物理气相传输法（PhysicalVaporTransport,PVT）

正文

1.碳化硅单晶立项的目的与意义

碳化硅单晶因其宽禁带、高击穿场强、高热导率等优异特性，成为新一代电力电子器件的关键材料。目前，碳化硅单晶最主要的应用是制造碳化硅单晶抛光片，用于生产SiC基功率半导体器件（如MOSFET、SBD等）。

近年来，新能源汽车行业加速采用SiC器件，以提升能效并降低系统体积。根据法国Yole公司的市场调研报告，2025年全球碳化硅电力电子器件市场规模预计将达到25亿美元。为保障供应链安全，国际半导体巨头纷纷通过收购或战略合作布局碳化硅单晶产业：

-2009年，日本罗姆（Rohm）收购德国SiCrystal，确保SiC衬底供应。

-2020年，意法半导体（ST）以1.375亿美元收购瑞典NorstelAB。

-2020年12月，英飞凌（Infineon）与美国GTAT签订5年SiC晶棒供货协议。

-2021年11月，安森美（Onsemi）以4.15亿美元收购GTAT，强化SiC供应链。

-2023年5月，英飞凌与中国天科合达、天岳先进签订长期供应协议，锁定150mm（6英寸）SiC晶圆产能。

这些案例表明，碳化硅单晶的战略价值日益凸显，标准化工作对产业健康发展至关重要。

2.碳化硅单晶标准的范围与主要技术内容

本文件适用于采用物理气相传输法（PVT）制备的4H-SiC单晶，涵盖以下核心内容：

1.术语与定义：明确4H-SiC单晶相关技术术语，确保行业统一认知。

2.产品分类：按晶型、尺寸、电学性能等进行分类，便于市场应用。

3.技术要求：

-晶体质量：位错密度、微管密度等关键指标。

-尺寸规格：晶锭直径（如150mm）、晶圆厚度等。

-电学性能：电阻率、载流子浓度等参数。

4.检测方法：

-X射线衍射（XRD）检测晶体结构。

-光学显微镜观察缺陷分布。

-霍尔效应测试电学性能。

5.包装与运输：规定防震、防潮等存储要求，确保产品稳定性。

该标准适用于SiC单晶抛光片的生产，主要服务于电力电子器件制造，包括新能源汽车、光伏逆变器、工业电机驱动等领域。

3.主要参与单位介绍：天科合达（TankeBlueSemiconductor）

天科合达是中国领先的碳化硅单晶衬底供应商，专注于4H-SiC单晶的研发与生产。公司成立于2006年，已实现6英寸SiC晶圆的规模化量产，并积极布局8英寸技术。2023年，天科合达与英飞凌签订长期供应协议，标志着其产品达到国际领先水平。

天科合达在SiC单晶标准化领域贡献突出，参与制定多项行业标准，推动中国SiC产业链的自主可控发展。

结论与展望

碳化硅单晶标准化对提升产业竞争力、保障供应链安全具有重要意义。未来，随着8英寸SiC晶圆的产业化推进，标准化工作需进一步优化，以适应更大尺寸、更高性能的需求。同时，国际协作将促进全球SiC产业链的协同发展，推动第三代半导体技术的广泛应用。

本报告为行业从业者、政策制定者及研究人员提供了碳化硅单晶标准化的全面分析，有助于推动中国在该领域的领先地位。

参考文献：

1.YoleDéveloppement.(2023).*PowerSiC:Materials,Devices,andApplications*.

2.国家标准《碳化硅单晶技术要求》（GB/TXXXXX-202X）.

3.InfineonTechnologies.(2023).*PressRelease:InfineonSecuresSiCSupplywithTankeBlueandSICC*.

注：本报告基于公开