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全桥逆变器的设计案例概述

目录

TOC\o1-3\h\u18288全桥逆变器的设计案例概述 1

285371.1全桥逆变器的计算 1

159521.2全桥逆变器的选型 1

109791.3电路保护 2

1.1全桥逆变器的计算

设计采用的1KW逆变器和SPWM调制方法。

逆变器输出电压一般为220V，因为管子导通时电压在310V左右，所以选取电压为600V的管子。通过I=P

1.2全桥逆变器的选型

对IGBT、GTR、GTO、电力MOSFET器件进行比较见下表2-1：

表2-1四种器件对比

器件

优点

缺点

IGBT

具有超强的开关速度，减少开关损耗，拥有很强的耐受电流脉冲的能力，电压降低，高输入率，功率驱动，低功耗。

开关速度比电力MOSFET低很多，电压，电流容量都比不过GTO。

GTR

高电压、高流量、智能耦合特性、高功率消耗、低饱和电压。

开关速度低，电机牵引功率大，驱动电路复杂，会出现二次击穿问题

GTO

为原动力应用提供高压电源，具有导体调制和高电流能力。

极低的功率截止速度，高的负门脉冲电流，低的耦合速度，高的驱动功率，先进的驱动变化，低的耦合频率

电力MOSFET

变化速度快，输入阻抗高，良好的热稳定性，驱动性能低，驱动周期容易，运行频率高，无二次故障。

低功率、低电压，通常只适用于功率在10kW以下的电力电子产品。

通过上述计算得到的电压和电流以及查找相关的资料，并对逆变器的分类进行比较分析[14]，利用上一章节中提到的按电压进行分类的电压型逆变器；在对三种单相逆变电路进行对比后选取单相全桥逆变电路。根据设计并网的实际要求，采用单相逆变器，主功率器件选择MOSFET管，因为它的承受能力强。最终选择的型号为RU7570的N-MOS-SMT管。

RU7570的具体参数如下：75V为漏极电压；25°C时它能够产生的连续漏极电流为70A；4V@250uA是它的栅源极阈值电压；12mΩ@35A,10V是它的漏源导通电阻；拥有103W的最大功率耗；类型是N沟道。

所以设计出了符合本次设计要求的单相全桥逆变电路图，如图1.8所示：

1.3电路保护

当电路工作不能正常时，就会产生过电流。过流可分为过载和短路两种情况。在日常生活中经常使用一下几种保护措施：快速熔断器、直流快速熔断器和过流继电器[15]。为了使过流保护具有很强的责任性和合理性，电力设备通常可以在类似的时间采取一种过流保护措施。在选择不同的保护措施的时候，应该做到充分考虑它们之间的互相协调。通常情况下，在发声短路时快速熔断器也只能保护其中的某些部分；设置直流断路器将在电路运行后实现保护；发生过载时，过流继电器设置激活。

它是电气设备中最有效、应用最广泛的过有功保护措施。快速熔化通常与一系列半导体器件有关。在低能力的安装中，它可以不平行地连接到阀侧的交流或直流母线上。为了确保软化器在传统的过载条件下不会软化，应该考虑到其电流特性。有两种类型的快速熔化保护：完全保护和接触保护——绝对保护意味着过载和短路都有快速熔断器保护。这种方法只适用于低功率器件或具有良好应用差异的器件。短路保护建议只在短路电流大的地方使用保险丝。因此，该方法应与其它过流保护措施相协调。

为了对电路和器件进行可靠的保护，所以设计了电路保护装置，采用过电流保护。如图1.9所示。它是一种带有一对引脚的肖特基二极管，将达到25A的峰值电流，包括40V的反向击穿电压，包括0.2V的正向倾角和1A的平均正向特性电流。此外，它的大部分载流子是在金属原子数为14的结处传导的。

经过上述的一系列计算及设计，我本次毕业设计所设计出的单相全桥逆变电路如图1.10所示：