光通信技术第三章.pptxVIP

通信用光器件可以分为有源器件和无源器件两种类型。01有源器件包括光源、光检测器和光放大器。02光无源器件主要有连接器、耦合器、波分复用器、调制器、光开关和隔离器等。03第3章通信用光器件

第3章通信用光器第3章通信用光器3.1光源（理解）3.1.1半导体激光器工作原理和基本结构3.1.2半导体激光器的主要特性3.1.3分布反馈激光器3.1.4发光二极管3.1.5半导体光源一般性能和应用3.2光检测器（理解）3.2.1光电二极管工作原理3.2.2PIN光电二极管3.2.3雪崩光电二极管(APD)3.2.4光电二极管一般性能和应用3.3光无源器件（了解）3.3.1连接器和接头3.3.2光耦合器3.3.3光隔离器与光环行器3.3.4光调制器3.3.5光开关

光源是光发射机的关键器件，其功能是把电信号转换为光信号。01目前光纤通信广泛使用的光源主要有半导体激光二极管或称激光器(LD)和发光二极管或称发光管(LED)，有些场合也使用固体激光器。02本节首先介绍半导体激光器(LD)的工作原理、基本结构和主要特性，然后进一步介绍性能更优良的分布反馈激光器(DFB-LD)，最后介绍可靠性高、寿命长和价格便宜的发光管(LED)。033.1光源

3.1.1半导体激光器工作原理和基本结构半导体激光器是向半导体PN结注入电流，实现粒子数反转分布，产生受激辐射，再利用谐振腔的正反馈，实现光放大而产生激光振荡的。

壹受激辐射和粒子数反转分布肆电子在低能级E1的基态和高能级E2的激发态之间的跃迁有三种基本方式：受激吸收自发辐射受激辐射叁在物质的原子中，存在许多能级，最低能级E1称为基态，能量比基态大的能级Ei(i=2,3,4…)称为激发态。贰有源器件的物理基础是光和物质相互作用的效应。

01在正常状态下，电子处于低能级E1，在入射光作用下，它会吸收光子的能量跃迁到高能级E2上，这种跃迁称为受激吸收。电子跃迁后，在低能级留下相同数目的空穴，见图3.1(a)。(1)受激吸收02在高能级E2的电子是不稳定的，即使没有外界的作用，也会自动地跃迁到低能级E1上与空穴复合，释放的能量转换为光子辐射出去，这种跃迁称为自发辐射，见图3.1(b)。(2)自发辐射03在高能级E2的电子，受到入射光的作用，被迫跃迁到低能级E1上与空穴复合，释放的能量产生光辐射，这种跃迁称为受激辐射，见图3.1(c)。(3)受激辐射

（激活物质置于）（中对光的频率和方向进行选择）3.激光振荡和光学谐振腔激光振荡的产生：粒子数反转分布+光学谐振腔=连续的光放大和激光振荡输出

图3.4激光器的构成和工作原理(a)激光振荡；(b)光反馈

半导体激光器基本结构半导体激光器的结构多种多样，基本结构是图3.5示出的双异质结(DH)平面条形结构。这种结构由三层不同类型半导体材料构成，不同材料发射不同的光波长。图中标出所用材料和近似尺寸。结构中间有一层厚0.1~0.3μm的窄带隙P型半导体，称为有源层；两侧分别为宽带隙的P型和N型半导体，称为限制层。三层半导体置于基片(衬底)上，前后两个晶体解理面作为反射镜构成法布里-珀罗(FP)谐振腔。

3.1.2半导体激光器的主要特性1.发射波长和光谱特性半导体激光器的发射波长等于禁带宽度Eg(eV)，由式(3.1)得到hf=Eg(3.6)不同半导体材料有不同的禁带宽度Eg，因而有不同的发射波长λ。镓铝砷-镓砷(GaAlAs-GaAs)材料适用于0.85μm波段铟镓砷磷-铟磷(InGaAsP-In