《半导体热波晶圆量测设备性能测试方法》征求意见稿.docx

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半导体热波晶圆量测设备性能测试方法

1范围

本文件规定了半导体热波晶圆量测设备性能测试的原理、测试条件、仪器设备、样品、测试方法、测试数据处理、质量保证和控制以及实验报告等内容。

本文件适用于半导体热波晶圆量测设备的性能测试。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。

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3术语和定义

下列术语和定义适用于本文件。

3.1

半导体热波晶圆量测设备semiconductorthermo-wavewafermeasurementequipment

基于热波原理，通过检测激光激发产生的二次谐波信号，实现晶圆厚度、热导率及缺陷无损检测的设备。

4原理

4.1激光激发与热波产生

通过特定波长的激光照射晶圆表面，激光能量被晶圆材料吸收后转化为热能，在表面浅层区域产生周期性的温度变化，进而激发向内部传播的热波。

4.2二次谐波信号生成

热波在晶圆内部传播时，若材料存在厚度差异、热导率变化或缺陷(裂纹、空洞),会导致热波的传播特性发生改变。当热波反射回表面时，会调制表面的热辐射或光学特性，产生与激光频率相关的二次谐波信号。

工

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4.3信号检测与参数计算

设备通过高灵敏度传感器捕捉二次谐波信号，结合热传导理论模型，对信号进行分析包括以下内容。

a)厚度测量。根据热波在晶圆上下表面反射的时间差或相位差，计算晶圆的物理厚度。

b)热导率测量。通过热波的衰减速率与传播距离的关系，反推材料的热导率参数。

c)缺陷检测。缺陷会导致热波信号异常(如信号强度突变或相位偏移),通过扫描晶圆表面的信号分布，定位缺陷位置并评估其类型。

5测试条件

5.1环境条件

5.1.1温度要求

温度应控制在23±2℃范围内，且环境温度波动每小时不超过0.5℃。

5.1.2湿度要求

湿度需保持在45%±5%RH,防止晶圆表面冷凝或静电吸附颗粒。

5.1.3洁净度要求

洁净度需达到IS05级(Class100)洁净室标准，空气中≥0.5μm的颗粒数≤100个/立方英尺，减少粉尘对热波信号的干扰。

振动控制要求振幅≤5μm、频率≤10Hz,设备需安装在防振平台上，避免机械振动导致热波信号采集偏差。

5.2电源要求

供电电压为AC220V±10%、50Hz,需配备额定功率不低于设备总功耗1.5倍的交流稳压器，确保电压波动≤±2%。独立接地系统的接地电阻应≤4Ω,接地线缆截面积≥2.5mm2,以消除电磁干扰对热波信号处理电路的影响。

5.3样品要求

5.3.1样品材质要求

样品材质包括单晶硅(Si)、砷化镓(GaAs)、碳化硅(Sic)等半导体材料，表面无氧化层损伤。

5.3.2晶圆尺寸

晶圆尺寸为200mm或300mm,表面平整度≤1μm,边缘崩裂尺寸≤0.1mm,避免因几何缺陷影响厚度与热导率测量精度。

5.3.3样品储存条件

样品存储需置于充氮气的洁净晶圆盒中，存储环境温度23±3℃、湿度≤30%RH,防止表面污染或氧化。

6仪器设备

半导体热波晶圆量测设备性能测试方法所涉及的仪器包括表1内设备。

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表1半导体热波晶圆量测设备性能测试仪器设备

设备名称

功能概述

热波晶圆量测设备

核心测试设备，配备激光激发源、红外探测器及信号处理系统，用于生成热波并采集

二次谐波信号。

标准厚度晶圆

已知精确厚度的参考晶圆(如硅、砷化镓),用于厚度测量精度校准。

标准热导率晶圆

已知热导率的参考晶圆(如SiC),用于热导率测量精度校准。

标准缺陷晶圆

预置人工缺陷(如刻蚀微孔、裂纹)的晶圆，用于缺陷检测灵敏度验证。

真空吸附载台

表面平整度≤0.1μm,真空度≥90kPa,用于固定晶圆并确保贴合。

环境监控系统

实时监测温湿度(±0.5℃/h波动，45%±5%RH)及振动(振幅≤5μm),确保测试条件合规。

洁净室系统

维持IS05级(Class100