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电工电子技术第十八讲交流放大电路

半导体三极管基本结构NNP基极发射极集电极NPN型BECBECPNP型PPN基极发射极集电极符号：BECIBIEICBECIBIEICNPN型三极管PNP型三极管

基区：最薄，掺杂浓度最低发射区：掺杂浓度最高发射结集电结BECNNP基极发射极集电极结构特点：集电区：面积最大

电流分配和放大原理1.三极管放大的外部条件BECNNPEBRBECRC发射结正偏、集电结反偏PNP发射结正偏VBVE集电结反偏VCVB从电位的角度看：NPN发射结正偏VBVE集电结反偏VCVB

ECRCICUCECEBUBE共发射极接法放大电路三极管的电流控制作用三极管具有电流控制作用的外部条件:（1）发射结正向偏置；（2）集电结反向偏置。对于NPN型三极管应满足:UBE0UBC0即VCVBVE对于PNP型三极管应满足:UEB0UCB0即VCVBVE输出回路输入回路公共端EBRBIB

2.各电极电流关系及电流放大作用IB(mA)IC(mA)IE(mA)00.020.040.060.080.100.0010.801.602.353.203.950.0010.821.642.413.284.05结论:1）三电极电流关系IE=IB+IC2）IC??IB，IC?IE3）?IC???IB，且?IC≈β?IB把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大变化的特性称为晶体管的电流放大作用。实质:用一个微小电流的变化去控制一个较大电流的变化，是CCCS器件。ECB符号

发射区向基区扩散电子IEIB电子在基区扩散与复合集电区收集电子电子流向电源正极形成ICICNPN电源负极向发射区补充电子形成发射极电流IE三极管的电流控制原理EB正极拉走电子，补充被复合的空穴，形成IBVCCRCVBBRB

由于基区很薄，掺杂浓度又很小，电子在基区扩散的数量远远大于复合的数量。所以：(1)ICIB同样有:?IC?IB所以说三极管具有电流控制作用,也称之为电流放大作用。(2)当基极电路由于外加电压或电阻改变而引起IB的微小变化时，必定使IC发生较大的变化。即三极管的基极电流对集电极电流具有控制作用

IBUBE0UCE≥1V死区1.三极管的输入特性IB=f(UBE)UCE=常数三极管的特性曲线ECICUCECEBUBEEBRBIB导通电压硅管约为0.5V，锗管约为0.1V

IB=40μAIB=60μAUCE0ICIB增加IB减小IB=20μAIB=常数IC=f(UCE)2.三极管的输出特性ECRCICUCECEBUBEEBRBIBA

IC/mAUCE/V0放大区三极管输出特性上的三个工作区IB=0μA20μA40μA截止区饱和区60μA80μA

三极管的主要参数1.电流放大系数(1)直流电流放大系数(2)交流电流放大系数?=?IC?IB2.穿透电流ICEO3.集电极最大允许电流ICM4.集--射反相击穿电压U(BR)CEO5.集电极最大允许耗散功率PCM极限参数使用时不允许超过!?=ICIB

0IB=0μA20μA40μA60μA80μA由三极管的极限参数确定安全工作区安全工作区过损耗区PCM曲线IC/mAUCE/VICEOICMU(BR)CEO

60μA020μA1.52.3在输出特性上求 ?,? ?=ICIB=1.5mA40μA=37.5 ?=ICIB=2.3–1.5(mA)60–40(μA)=40设UCE=6V,IB由40μA加为60μA。IC/mAUCE/VIB=40μA6

CEBEBUCC省去一个直流电源第三章分立元件基本放大电路3.1基本放大电路的组成共发射极接法放大电路RCRBT三极管具有电流控制作用的外部条件:（1）发射结正向偏置；（2）集电结反向偏置。对于NPN型三极管应满足:UBE0UB