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工业强基工程“一揽子”重点突破方向

序号

重点方向

实施目标

主要内容和产品（技术）要求

5G中高频通信大规模MIMO天线

1.突破关键技术，完成高增益、低成本中高频段毫米波阵列天线设计。2.形成产业化能力，满足5G中高频段基站、地面卫星接收终端的应用需求，实现规模应用。3.实现产业化批量生产，产品销售量≥8万套。

1.中频段：频率3GHz-6GHz，双线极化方式，支持方位扫描±45o，俯仰扫描±30o，增益＞20dB，阵列数量≥64单元。2.高频段：20-40GHz，垂直或水平单线极化方式，支持方位扫描±45o，俯仰扫描±30o，增益＞24dB，阵列数量≥128单元。

光互联用25Gb/s光收发芯片与器件

开发应用于数据通信、移动通信5G领域的25Gb/s激光器、探测器芯片及器件，实现产业化批量生产，提升支撑国家信息基础建设的能力，实现100万只规模化应用。

1.发射芯片主要技术指标：传输速率~25GHz，边摸抑制比35dB，消光比7dB；2.接收芯片主要技术指标：3dB电带宽20GHz，响应度0.7A/W，灵敏度-12dBm。

铁氧体片封装材料

实现适合低温烧结的高性能铁氧体片材料产业化，产能可达200万m2/年，要求产品在频率100kHz—200kHz条件下具有高磁导率、低损耗的特点。

1.复数磁导率（f=128kHz）:μ?=1000±20%、μ≤20；2.饱和磁化强度（f=128kHz、t=25℃、H=1200A/m）Bs≥300mT；3.居里温度：Tc≥95℃；4.铁氧体片厚度公差：T±5%（T=0.08~0.3mm）。

5G通信用新型陶瓷材料及背板、封装基座

1.产业化批量生产5G智能手机用新型陶瓷材料及背板产品，至少为两家主流智能终端用户提供批量配套。2.实现5G通信声表面波器件用陶瓷封装基座的批量化生产。拥有该陶瓷封装基座完全自主知识产权，3年产量实现10亿只。

1.陶瓷材料：一次粒径：≤80nm；粒度（D50）≤0.15μm；比表面积（BET）：（18±2）m2/g。2.背板:抗弯强度：≥1300MPa；维氏硬度：≥12GPa；介电损耗（3GHz～60GHz）:≤0.5%；断裂韧性：7MPa·m1/2。3.封装基座：尺寸精度：（1.1±0.05）mm×（0.9±0.05）mm×（0.18±0.05）mm；单只翘曲度：≤30μm；电极共面性：≤10μm（芯片放置区域）。底部焊盘键合强度：用直径0.13mm漆包铜线焊接焊盘后拉力值≥1.47N。

数据记录关键镀膜（合金）材料

1.突破高性能无机记录和反射材料生产工艺，实现自主知识产权，年使用量不低于2.5吨；2.实现年产专业数据存储产品500万片，服务于各种高要求大数据安全存储应用。

1.制备高吸收特性的405nm光波能量特种铜合金材料真空磁控溅镀的圆形靶。铜合金材料的纳米级溅镀膜层与非晶硅膜层叠加后，在405nm激光束作用下形成Cu3Si记录点的光电特性：扰动值＜8%；所需记录功率＜6mW；反射率≥32%。3.基于该新材料实现产品性能：单盘容量≥100GB；读写速率≥144Mbps；可靠使用寿命（加速老化测试）≥50年。

3DNANDFlash

实现64层/512Gb的3DNANDFlash及驱动控制芯片产业化批量生产，达到10万套4G及以上容量存储器的规模应用。

1.掌握3D存储器产业化生产技术，拥有3DNANDFlash自主知识产权，制程工艺缩小至14/16nm，堆叠层数达到64层，提升驱动控制电路等外围芯片和算法能力。2.建设完备的新型3DNANDFlash存储器封装、测试、系统级验证等软硬件平台，开发符合JEDEC标准的3DNANDFlash系列产品。

智能设计软件

1.基于三维CAD设计平台，建立产品设计规则库和智能零部件库，根据客户的个性化需求，实现产品设计、装配设计等过程的自动化、智能化。在保障产品设计的标准化同时，降低设计人员的技术门槛。拥有完全自主知识产权，销售2000套以上。2.基于CAE仿真、分析和设计平台，建立工业行业产品设计知识模型库，满足工业制造业企业产品系统级综合设计需求，实现工业知识模型的设计重用及系统级快速设计的智能化，支持产品方案快速设计以及设计验证一体化。在提高产品设计可靠性的同时，缩短产品研发周期及降低研发成本。拥有完全自主知识产权，技术达到国内领先。

1.CAD：（1）建立自主知识产权的三维CAD平台，能够支持10万以上零部件数量的复杂产品设计。（2）平台具备可扩展的设计规则库，用户可通过脚本进行规则定义，将隐形的设计经验模型化。（3）平台具备智能零部件建库机制，平台提供的国标零部件规格百万以上，用户可自定义企标件和通用件库。（4）平台可根据需求参数、设计规则、零部件库自动生成个性化产品的3