晶体管原理(部分习题讲解).pptxVIP

部分习题解答部分物理常数：

第2章1、在N区耗尽区中，高斯定理为：取一个圆柱形体积，底面在PN结的冶金结面（即原点）处，面积为一个单位面积，顶面位于x处。则由高斯定理可得：当x=xn时，E(x)=0，因此，于是得：（2-5a）

3、

4、

6、ND2ND1

8、(1)

20、

式中的I0因含ni2而与温度关系密切，因此正向扩散电流可表为01于是PN结正向扩散电流的温度系数与相对温度系数分别为0224、PN结的正向扩散电流为

A当N-区足够长时，开始发生雪崩击穿的耗尽区宽度为：B当N-区缩短到W=3?m时，雪崩击穿电压成为：

34、

39、

第3章NPN缓变基区晶体管在平衡时的能带图NPN缓变基区晶体管在放大区时的能带图

NPN缓变基区晶体管在放大区时的少子分布图

6、

01以NPN管为例，当基区与发射区都是非均匀掺杂时，由式（3-33a）和式（3-33b），02再根据注入效率的定义，可得：03

9、

P3P2P1P410、

14、

15、

20、当忽略基区中的少子复合及ICEO时，

实质上是ICS。

使NBNC，这样集电结耗尽区主要向集电区延伸，可使基区不易穿通。为提高穿通电压Vpt，应当增大WB和NB，但这恰好与提高β相矛盾。解决方法：

12当IE很大时，这时α0α；3当IE很小时，这时α0α；6β0与β也有类似的关系。5在正常的IE范围内，α几乎不随IE变化，这时4在IE很小或很大时，α都会有所下降。

58、

59、

65、(1)(3)(2)(4)

68、

第5章1、

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