《单片机原理及接口技术》项目8 单片机应用系统设计.pptVIP

以上这些涉及指令的存储器为高速暂存器RAM和可电擦除E2PROM，见表所示：寄存器内容字节地址温度值低位（LSB）0温度值高温（MSB）1高温限值（TH）2低温限值（TL）3配置寄存器4保留5保留6保留7CRC校验值8高速暂存器RAM由9个字节的存储器组成。第0—1字节是温度的显示位；第2和第3字节是复制的TH和TL，同时第2和第3个字节的数字可以更新；第4字节是配置寄存器，同时第4个字节的数字可以更新；第5，6，7三个字节是保留的。可电擦除E2PROM又包括温度触发器TH和TL，以及一个配置寄存器。表列出了温度数据在高速暂存器RAMde第0和第1个字节的存储格式。DS18B20在出厂时默认配置为12位，其中最高位为符号位，即温度值共11位，单片机在读取数据时，一次会读2字节共16位，读完后将低11位的二进制数转化为十进制数后再乘以0.0625便为所测得实际温度。另外，还需要判断温度的正负。前5个数字为符号位，这5位同时变化，我们只需要判断11位就可以。前5位为1时，读取温度为负值，且测到的数值需要取反加1再乘以0.0625才可得到实际温度。前5位为0时，读取温度为正值，只要将测得的数值乘以0.0625即可得到实际温度。6、DS18B20时序（1）初始化先将数据线置高电平1。延时（该时间要求不是很严格，但是要尽可能短一点）。数据线达到低电平0。延时750μs（该时间范围可以在480～960μs）。数据线拉到高电平1。延时等待。如果初始化成功则在15～60ms内产生一个由DS18B20返回的低电平0，根据状态可以确定它的存在。但是应该注意，不能无限地等待，不然会使程序进入死循环，所以要进行超时判断。若CPU读到数据线上的低电平0后，还要进行延时，其延时的时间从发出高电平算起的时间算起），最少要480μs。将数据线再次拉到高电平1后结束。（2）DS18B20写数据数据线先置低电平0。延时确定时间为15μs。按从低位到高位的顺序发送数据（一次只发一位）。延时时间为45μs。将数据线拉到高电平1。重复上述步骤，直到发送完整个字节。最后将数据线拉高到1。（3）DS18B20读数据将数据线拉高到1。延时2μs。将数据拉低到0。延时6μs。将数据拉高到1。延时4μs。读数据的状态得到一个状态位，并进行数据处理。延时30μs。重复上述步骤，直到读完一个字节。7、DS18B20与单片机接口DS18B20测温系统具有测温系统简单、测温精度高、连接方便、占用口线少等优点。下面是DS18B20几个不同应用方式下的测温电路图：（1）DS18B20单点测温（2）DS18B20多点测温采用外部电源供电，DS18B20工作电源由VDD引脚接入，同时在总线上理论可以挂接任意多个DS18B20传感器，组成多点测温系统。注意：在外部供电的方式下，DS18B20的GND引脚不能悬空，否则不能转换温度，读取的温度总是85℃。三、综合训练项目——数字万年历的设计与制作1、设计要求设计并制作出具有如下功能的数字万年历：（1）实时时钟功能：用于产生时间及日期信息；（2）键盘功能：用于本地设时、解除闹钟等；（3）温度采集功能：用于采集系统环境温度；（4）数字显示功能：用于显示时间、日期、环境温度；（5）声光提示功能：用于红外解码、闹钟、温度超限指示等；2、方案论证（1）单片机选型①AT89S51②STC系列单片机（2）计时方案①通过单片机内部的定时器/计数器②采用实时时钟芯片（RTC）（3）测温方案①模拟温度传感器②数字温度传感器（4）显示方案①数码管显示②LCD1602液晶显示（6）键盘方案①独立式按键②矩阵式键盘（7）系统方案确定综合上述方案分析，最后确定设计出系统基本结构框图如图所示本系统选用STC89C51RC作为主控制器，选用DS1302实现计时，选用DS18B20进行实时温度采集，选用LCD1602显示时间和温度，四个独立式按键完成设置时间等操作。1）键盘功能定义：四个独立式按键分别为：模式选择键、增键、减键、系统复位键，①模式选择键(MODE_KEY)：设置系统时间（或闹铃时间）时，用来选择设置对像（年-月-日-时-分-秒或时-分）；②增键(INC_KEY)：遵循相关规则增加对应数的值（此键与启动设置闹铃功能复用）；③减键(DEC_KEY)：遵循相关规则减少对应数的值；④系统复位键(RST_KEY)：程序异常时，