深度剖析HBM千亿蓝海，AI算力激战下供需新格局.pptxVIP

产业周期：存储周期通常为3-4年，是半导体风向标791亿美元DRAM/NANDFlash存储市场呈现海外寡头垄断格局，CR3/CR5高达95+%DRAM:CR3达97%供给侧：各原厂积极扩产HBM，25年资本开支预计高于原计划需求侧2：单机平均存储容量翻2/4倍，将带动总需求数倍增长AI手机/AIPC对存储需求升级→单机平均容量翻2/4倍+移动终端出货量稳定→总存储容量需求数倍增长刻蚀设备境外(含港澳台)中国大陆LamTELAMAT北方华创中微公司光刻机中国大陆华卓精科ASML尼康佳能存储原厂2024年(扩产/提高投资)2025年(进一步扩产/提高投资)铠侠3月NAND