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CN109560166B 一种超晶格空间GaInP-InGaAs-Ge电池外延片的制造方法（南昌凯迅光电股份有限公司）.docxVIP

CN109560166B 一种超晶格空间GaInP-InGaAs-Ge电池外延片的制造方法（南昌凯迅光电股份有限公司）.docx

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    (12)发明专利

    (10)授权公告号CN109560166B(45)授权公告日2025.06.27

    (21)申请号201811416792.5

    (22)申请日2019.01.16

    (65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN109560166A

    (43)申请公布日2019.04.02

    (73)专利权人南昌凯迅光电股份有限公司

    地址330000江西省南昌市临空经济区黄

    堂西街199号

    H10F77/14(2025.01)

    H10F10/142(2025.01)

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