极管及放大电路基础.pptxVIP

4.1半导体三极管（BJT）

4.2共射极放大电路

4.3图解分析法

4.4小信号模型分析法

4.5放大电路的工作点稳定问题

4.6共集电极电路和共基极电路

4.7放大电路的频率响应

BJT的结构简介

4.1半导体三极管（BJT）

BJT的电流分配与放大原理

3.1.3BJT的特性曲线

BJT的主要参数

BJT的结构简介

半导体三极管的结构示意图如图03.1.01所示。它有两种类型:NPN型和PNP型。

两种类型的三极管

发射结(Je)

集电结(Jc)

基极，用B或b表示（Base）

发射极，用E或e

表示（Emitter）；

集电极，用C或c

表示（Collector）。

发射区

集电区

基区

三极管符号

结构特点：

•发射区厚、掺杂浓度最高；

•集电区掺杂浓度低于发射区，且面积大；

•基区很薄，一般在几个微米至几十个微米，且掺杂浓度最低。

管芯结构剖面图

3.1.2BJT的电流分配与放大原理

1.内部载流子的传输过程

三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下，通过载流子传输体现出来的。

外部条件：发射结正偏，集电结反偏。

发射区：发射载流子

集电区：收集载流子

基区：传送和控制载流子

（以NPN为例）

以上看出，三极管内有两种载流子(自由电子和空穴)参与导电，故称为双极型晶体三极管简称晶体管。或BJT(BipolarJunctionTransistor)。

载流子的传输过程

IC=InC+ICBO

IE=IB+IC

放大状态BJT的工作原理

2.电流分配关系

根据传输过程可知

IC=InC+ICBO

IE=IB+IC

载流子的传输过程

IE≈IC

IB增大，IC也增大，IC受IB的控制。

1

IE≈IC=（1+）IB

3.三极管的三种组态

共集电极接法，集电极作为公共电极，用CC表示;

共基极接法，基极作为公共电极，用CB表示。

共发射极接法，发射极作为公共电极，用CE表示；

BJT的三种组态

BJT的电流分配与放大原理

综上所述，三极管的放大作用，主要是依靠它的发射极电流能够通过基区传输，然后到达集电极而实现的。

实现这一传输过程的两个条件是：

（1）内部条件：发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度，且基区很薄。

（2）外部条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置。从电位上来看对于NPN型三极管，

UC＞UB＞UE

BJT的特性曲线

vCE=0V

+

-

b

c

e

共射极放大电路

VBB

VCC

vBE

iC

iB

+

-

vCE

iB=f(vBE)vCE=const

(2)当vCE≥1V时，vCB=vCE-vBE0，集电结已进入反偏状态，开始收

集电子，基区复合减少，同样的vBE下IB减小，特性曲线右移。

vCE=0V

vCE1V

(1)当vCE=0V时，相当于发射结的正向伏安特性曲线。

1.输入特性曲线

（以共射极放大电路为例）

BJT的特性曲线

(3)输入特性曲线的三个部分

①死区

②非线性区

③线性区

1.输入特性曲线

BJT的特性曲线

饱和区：iC明显受vCE控制的区域，该区域内，一般vCE＜0.7V(硅管)。此时，发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小或对于NPN：UB＞UC、UB＞UE；对于PNP：UB＜UC、UB＜UE，三极管无放大作用。对于硅管UCES=0.3V,对于锗管UCES=0V。晶体管饱和，C、E之间相当于一个闭合的开关。

iC=f(vCE)iB=const

2.输出特性曲线

输出特性曲线的三个区域:

截止区：iC接近零的区域，相当iB=0的曲线的下方。此时，vBE小于死区电压。无放大作用。发射结、集电结均为反偏，晶体管截止，C、E之间相当于一个断开的开关。UCE≈UCC。

放大区：iC平行于vCE轴的区域，曲线基本平行等距。此时，发射结正偏，集电结反偏。三极管具有放大作用。对于NPN：UC＞UB＞UE，对于PNP：UC＜UB＜UE。

BJT的主要参数

1.电流放大系数

(2)共发射极交流电流放大系数

=IC/IBvCE=const

BJT的主要参数

(2)集电极发射极间的反向饱和电流ICEO

ICEO=（1+）ICBO

2.极间反向电流

ICEO

(1)集电极基极间反向饱和电流ICBO

发射极开路时，集电结的反向饱和电流。

即输出特性曲线IB=0那条曲线所对应的Y坐标的数值。ICEO也称为集电极发射极间穿透电流。