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化学气相淀积工职业技能考核试卷及答案

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化学气相淀积工职业技能考核试卷及答案

考生姓名：答题日期：判卷人：得分：

题型

单项选择题

多选题

填空题

判断题

主观题

案例题

得分

本次考核旨在评估学员对化学气相淀积（CVD）工艺原理、操作技能及安全知识的掌握程度，以检验其是否具备从事CVD相关工作的实际能力。

一、单项选择题（本题共30小题，每小题0.5分，共15分，在每小题给出的四个选项中，只有一项是符合题目要求的）

1.化学气相淀积技术中，CVD的“C”代表（）。

A.Chemical

B.Carbon

C.Crystal

D.Catalyst

2.在CVD过程中，通常使用（）作为气相反应的原料。

A.固体

B.液体

C.气体

D.光子

3.CVD过程中，为了提高沉积速率，常用的方法是（）。

A.降低温度

B.提高压力

C.提高温度

D.减少反应气体流量

4.下列哪种气体常用于CVD过程中的碳源（）。

A.N2

B.Ar

C.CH4

D.O2

5.在CVD工艺中，为了获得高质量的薄膜，通常需要控制（）。

A.反应时间

B.反应温度

C.沉积速率

D.以上都是

6.CVD过程中，使用（）作为载体，将前驱体输送到反应室。

A.真空泵

B.液态载体

C.离心泵

D.气流

7.下列哪种CVD技术适用于制备高纯度硅薄膜（）。

A.化学气相输运法

B.化学气相反应法

C.物理气相沉积法

D.离子束沉积法

8.在CVD工艺中，为了防止薄膜污染，通常需要在反应室中通入（）。

A.氮气

B.氩气

C.氢气

D.氧气

9.CVD过程中，为了提高沉积均匀性，通常采用（）。

A.线性沉积

B.点状沉积

C.球状沉积

D.面状沉积

10.在CVD工艺中，下列哪种设备用于将反应气体输送到反应室（）。

A.真空泵

B.液态载体

C.离心泵

D.气动输送

11.下列哪种CVD技术适用于制备金属薄膜（）。

A.化学气相输运法

B.化学气相反应法

C.物理气相沉积法

D.离子束沉积法

12.在CVD工艺中，为了提高薄膜的附着力，通常需要在基板上进行（）。

A.清洁处理

B.表面预处理

C.化学处理

D.热处理

13.CVD过程中，为了提高薄膜的结晶质量，通常采用（）。

A.低温沉积

B.高温沉积

C.低温高压沉积

D.高温高压沉积

14.下列哪种CVD技术适用于制备绝缘薄膜（）。

A.化学气相输运法

B.化学气相反应法

C.物理气相沉积法

D.离子束沉积法

15.在CVD工艺中，为了控制沉积速率，通常需要调节（）。

A.反应温度

B.反应时间

C.气体流量

D.以上都是

16.CVD过程中，为了提高薄膜的厚度均匀性，通常采用（）。

A.线性沉积

B.点状沉积

C.球状沉积

D.面状沉积

17.在CVD工艺中，下列哪种设备用于维持反应室中的真空状态（）。

A.真空泵

B.液态载体

C.离心泵

D.气动输送

18.下列哪种CVD技术适用于制备多层薄膜（）。

A.化学气相输运法

B.化学气相反应法

C.物理气相沉积法

D.离子束沉积法

19.在CVD工艺中，为了防止薄膜氧化，通常需要在反应室中通入（）。

A.氮气

B.氩气

C.氢气

D.氧气

20.CVD过程中，为了提高沉积均匀性，通常采用（）。

A.线性沉积

B.点状沉积

C.球状沉积

D.面状沉积

21.在CVD工艺中，下列哪种设备用于将前驱体输送到反应室（）。

A.真空泵

B.液态载体

C.离心泵

D.气动输送

22.下列哪种CVD技术适用于制备氮化硅薄膜（）。

A.化学气相输运法

B.化学气相反应法

C.物理气相沉积法

D.离子束沉积法

23.在CVD工艺中，为了提高薄膜的附着力，通常需要在基板上进行（）。

A.清洁处理

B.表面预处理

C.化学处理

D.热处理

24.CVD过程中，为了提高沉积速率，通常采用（）。

A.降低温度

B.提高压力

C.提高温度

D.减少反应气体流量

25.在CVD工艺中，下列哪种设备用于将反应气体输送到反应室（）。

A.真空泵

B.液态载体

C.离心泵

D.气动输送

26.下列哪种CVD技术适用于制备金属氧化物薄膜（）。

A.化学气相输运法

B.化