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T_CASAS 043-2024 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）高温反偏试验方法.pdfVIP

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  • 2025-09-06 发布于山东
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T_CASAS 043-2024 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）高温反偏试验方法.pdf

    ICS31.080

    CCSL40/49

    团体标准

    T/CASAS043—2024

    碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管

    （SiCMOSFET）高温反偏试验方法

    Hightemperaturereversebiastestmethodforsiliconcarbidemetal‑oxide

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