T_CASAS 042-2024 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)高温栅偏试验方法.pdfVIP

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  • 2025-09-06 发布于山东
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T_CASAS 042-2024 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)高温栅偏试验方法.pdf

ICS31.080

CCSL40/49

团体标准

T/CASAS042—2024

碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管

(SiCMOSFET)高温栅偏试验方法

Hightemperaturegatebiastestmethodforsiliconcarbidemetal‑oxide

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