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氮化镓载流子动力学性质的深度剖析与前沿探索

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体材料的璀璨星空中，氮化镓（GaN）以其独特而卓越的性能，成为了当代半导体领域研究的焦点之一，闪耀着令人瞩目的光芒。氮化镓，作为氮与镓的化合物，属于直接带隙半导体，其能隙宽度达到3.4电子伏特，这一特性赋予了它在高功率、高速光电元件应用中的巨大潜力，使其在半导体家族中占据着举足轻重的地位。

从历史发展的长河来看，半导体材料的每一次重大突破，都如同点燃了推动人类科技进步与社会发展的强大引擎。第一代半导体材料硅（Si）和锗（Ge），开启了集成电路的崭新时代，让电子产品得以大规模普及，深刻地改变了人们的生活方式