二维层状α-In2Se3铁电材料的神经突触仿生研究.pdf

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摘要

在物联网不断发展的过程中,建立在传统的冯·诺依曼架构上的计算机体系已经

无法满足人类对数据存储和处理的需求。摩尔定律表明,电子器件的体积越小,则存

储密度越大,但物理尺寸的限制并没有迫使其下降。因此,迫切需要开发克服冯·诺

依曼瓶颈的新器件。而忆阻器因其模拟大脑突触可塑性、感觉记忆神经元到生物智能

行为等功能被广泛的研究。随着对忆阻器研究的深入,人们对其性能、尺寸等方面有

了更高的需求。因此,选择合适的材料作为忆阻器的功能层,是十分重要的。近年来,

二维(Two-Dimensional,2D

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