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第二章芯片贴装与芯片互连

概述

概述成型技术去飞边毛刺芯片封装技术（一级）切筋成型芯片互连单晶硅棒硅片减薄上焊锡芯片帖装打码硅片切割

概述封装流程前段操作后段操作前段操作：1000净化级别净化级别：尘埃最允许数/立方米塑料封装

芯片贴装芯片互连芯片制备第二章芯片贴装与芯片互连

2.1芯片制备

2.1芯片制备矽？晶圆？1961，菲尔查德在硅晶片上制造的第一个集成电路0201

2.1芯片制备

2.1芯片制备晶圆制备硅的提纯

2.1芯片制备硅的提纯晶圆制备

2.1芯片制备晶圆制备01晶棒制备02晶体生长技术：区熔法；布里曼生长法；CZ直拉法03优点：工艺成熟，投量量；04适于生长大直径单晶；05缺点：不可避免来自坩埚及06加热棒的污染.07

2.1芯片制备晶棒制备

2.1芯片制备晶圆制备晶棒制备

2.芯片制备晶圆制备硅棒制备

2.1芯片制备P1晶圆制备P2硅棒制备

2.1芯片制备多线切割机晶圆制备晶圆切片

2.1芯片制备晶圆制备晶圆尺寸据国外媒体报道，三大巨头英特尔、三星和台积电本周宣布，他们将于2012年合作开发450mm晶圆的试生产；但是要研发450mm晶圆所需的设备，投资可能高达1000亿美元。8英寸（200mm）13英寸（300mm）18英寸（450mm）使用0.13微米的制程在200mm的晶圆上可以生产大约179个处理器核心，而使用300mm的晶圆可以制造大约427个处理器核心。

2把设计图形最终转移到硅片上；3IC制造中最重要的工艺；1临时性地涂覆光刻胶到硅片上；5决定着芯片的最终尺寸.4占用40-50%的芯片制造时间；光刻与刻蚀工艺2.1芯片制备

2.1芯片制备光刻与刻蚀工艺涂胶六甲基乙硅氮烷

2.1芯片制备光刻与刻蚀工艺曝光

2.1芯片制备后烘光刻与刻蚀工艺显影显影

2.1芯片制备光刻与刻蚀工艺湿法刻蚀干法刻蚀0102

2.1芯片制备光刻与刻蚀工艺刻蚀多晶硅

2.1芯片制备光刻与刻蚀工艺离子注入

2.1芯片制备光刻与刻蚀工艺

2.1芯片制备DBG法（先划片后减薄）

2.1芯片制备芯片切割

2.1芯片制备芯片切割

芯片贴装（diemount/bonding/attachment)1目的：实现芯片与底座（chipcarrier）的连接.2要求：3机械强度4化学性能稳定5导电、导热6热匹配7可操作性82.2芯片贴装

共晶粘贴法焊接粘贴法导电胶粘贴法玻璃胶粘贴法2.2芯片贴装（diemount)

2.2芯片贴装2.2.1共晶粘贴法

预型片的使用（Au-2%Si合金）；优点：金-硅共晶焊接机械强度高、热阻小、稳定性好、可靠性高,高温性能好，不脆化。缺点：生产效率低，不适应高速自动化生产。润湿性的重要性；2.2.1共晶粘贴法2.2芯片贴装

2.2.2焊接粘贴法2.2芯片贴装所用气氛：热氮气工艺优点：热传导性好所用材料硬质焊料：金-硅、金-锡、金锗；（塑变应力高，抗疲劳抗潜变特性好）软质焊料：铅-锡、铅-锡-铟.

2.2.3导电胶粘贴法三种导电胶：各向同性材料；导电硅橡胶；各向异性导电聚合物。共同点：表面形成化学结合和导电功能。2.2芯片贴装

2.2芯片贴装2.2.3导电胶粘贴法

2.2芯片贴装2.2.3导电胶粘贴法填充料：银颗粒或者银薄片（75-80%）芯片粘结剂：环氧树脂；聚酰亚胺；硅氧烷聚酰亚胺。使用考虑因素：流动性；粘着性；热传导性；电导性；玻璃化转变温度；吸水性.1234

2.2.4玻璃胶粘贴法类似于银浆粘接技术，主要用于陶瓷封装需要严格控制烧结温度.优点：所得芯片封装无空隙、热稳定性优良、低结合应力以及湿气含量低；缺点：有机成分与溶剂必须除去，否则危害可靠性。2.2芯片贴装

2.3芯片互连2.3.1打线键合技术(WB)2.3.2载带自动键合技术(TAB)2.3.3倒装芯片键合技术(FCB/C4)芯片焊区芯片互连I/O引线半导体失效约有1/4-1/3是由芯片互连所引起，因此芯片互连对器件可靠性意义重大！！！

2.3芯片互连

2.3芯片互连打线键合技术(WB)主要的打线键合技术：.01楔形接点02球形接点03超声波键合；热压键合；热超声波键合04

2.3芯片互连2.3.1打线键合技术(WB)01频率：20-60kHz；振幅：20-200μm；冷焊？？？02

2.3芯片互连2.3.1打线键合技术(WB)

2.3芯片互连2.3.1打线键合技术(WB)

2.3芯片互连用量超过90%间距大于60micron。打线键合的线材铝线：铝-1%硅合金；打线键合技术(WB)01铝镁硅合金或铝铜合金.金线：含5-100ppm铍含30-100ppm铜其他线材：银线，铜线PCB或封装不能加热的情况之下；