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半导体单晶材料透过率测量方法

1范围

本文件测试半导体单晶材料在0.2m300m范围内的透过率。

本文件适用于半导体单晶材料透过率的测定。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，

仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本

文件。

GB/T14264半导体材料术语

GB/T13962光学仪器术语

GB/T14144硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法

GB/T11073硅片径向电阻率变化的测量方法

GJB29199A红外光学用锗规范

FL6134GJB1926砷化镓单晶材料规范

SJ21447CdSe-N-T01型红外固体激光器用硒化镉单晶材料规范

JJG178紫外、可见、近红外分光光度计检定规程

JJF1319傅里叶变换红外光谱仪校准规范

FL6134Q/UK20249FZSi75NP3-BP01型硅片详细规范

Q/HIT30005VB60-ZGP型磷锗锌晶体材料详细规范

Q/UK20272PVTCdST/N1-BP01型硫化镉单晶抛光片详细规范

3术语和定义

GB/T14264和GB/T13962界定的以及下列术语和定义适用于本文件。

3.1

光轴面opticalaxisplane

与晶体光轴垂直的平面。

3.2

透过率transmittance

光线通过样品时透过的光通量与起始光通量的百分比。

3.3

红外光区infraredregion



红外光是一种波长介于可见光和微波区之间的电磁波谱。红外光的波长范围为0.78m300m,分

为三个区域：近红外区、中红外区、远红外区。

3.4

可见光区visibleregion



波长范围为0.4m0.78m。

3.5

紫外光区ultravioletregion



分三个区域：近紫外（0.3m0.4m）；中紫外（0.2m0.3m）；真空紫外（0.01m0.2m）。



常规分光光度计的紫外波长范围为0.2m0.4m。

3.6

透过率均匀性transmittancehomogeneity

样品一定区域内透过率分布情况，单一测试区域尺度为毫米量级到微米量级，根据实验测试结果

由相关公式计算得出透过率均匀性数值。

3.8

背景光谱backgroundspectrum

在红外光谱仪中，无样品存在的情况下使用单光束测量获得的谱线，

注：通常包括空气或吹扫氮气等信息。

3.9

样品光谱samplespectrum

用测试样品的光谱扣除背景光谱后获得的谱线。

注：在用双光束仪器，将样品放置于样品光路，参比光路空着时获得；在用傅立叶变换红外光谱仪及单光束光谱仪

时，用测试样品的光谱扣除背景光谱后获得。

4方法原理



测试半导体单晶材料在0.2m300m范围内的透过率，由于材料的本征吸收，表面散射、以及其内

部存在的晶格点阵缺陷、自由载流子对入射光的吸收，导致入射光能量出现损失，光强度降低。采集对

应波长光强，得到测试样品谱图，扣除背景光谱后得到测试样品的透过率谱图。

5干扰因素

5.1具有光学各向异性的双折射晶体，非偏振入射光通过双折射晶体时会发生偏光化，入射光会分解为

两种振动方向互相垂直且传播速度不等的偏光。可以用偏振片减少透过样品的光通量损失，提高透过率

测试数值的准确性。

5.2红外光谱仪光源是聚焦光，由于折射，样品表面反射等因素，会影响透过率测试精度。可以用平行

光附件减少测试设备聚焦光源带来得测试误差，提高样品透过率的测试精度。

5.3样品厚度越厚折射损失越大，影响其透过率