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第三章工作原理及表征参数;太阳电池的基本结构;无机太阳电池的基本结构;Si太阳电池的基本结构;太阳电池的工作原理;得到p-n结的常用方法:

扩散

离子注入

;p-n结的形成;

式中,

;举例:;光在纯净半导体中的吸收;如果给予电子的能量不单把电子逐出共价键,继而逐出半导体,这种现象称为外光电效应。;光生伏特效应;;1.按基体材料分类:;按基体材料分类:;按基体材料分类:;;;特性参数;太阳电池的等效结构;暗特性曲线和光照下的伏安特性曲线;由IL=Id+IR+Vd/Rsb可得出,

IR=IL-Id-Vd/Rsb

因为Rsb比较大,达到几千欧姆,

故Vd/Rsb项可忽略不计,因此有

IR=IL-Id;不同太阳辐照度下,太阳电池的伏安特性曲线;短路电流-Isc;ISC=IL=q?eN(Eg)

式中q:电子电荷;

?e:被电极收集的电子-空穴对数与产生的

电子-空穴对数的比值,称为量子效率,

小于1;

N(Eg):能量超过Eg的光子流。;;填充因数(子)-FF;;功率转换效率-

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