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三维芯片集成中硅通孔（TSV）力学行为与结构完整性的深度探究

一、引言

1.1研究背景与意义

在信息技术飞速发展的当下，电子产品正朝着高性能、小型化、多功能的方向大步迈进，这对芯片集成技术提出了极为严苛的要求。传统的二维芯片集成技术由于受到物理尺寸和互连方式的束缚，在提升芯片性能与集成度方面愈发显得力不从心，已难以满足现代电子系统对高带宽、低延迟、低功耗以及小型化的迫切需求。在此背景下，三维芯片集成技术应运而生，成为了突破芯片性能瓶颈的关键技术，在学术界和工业界都引发了广泛关注。

三维芯片集成技术通过将多个芯片在垂直方向上进行堆叠，并利用硅通孔（Through-Silicon-Via