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模拟电子技术基础考试题库及解析

前言

模拟电子技术，作为电子信息类专业的基石课程，其重要性不言而喻。它不仅是后续专业课程的入门钥匙，更是培养工程实践能力和创新思维的关键环节。然而，其概念抽象、分析方法灵活、工程背景深厚等特点，常使初学者感到困惑。为帮助同学们更好地理解和掌握模拟电子技术的核心知识，巩固学习效果，提升应试能力与工程应用素养，我们精心编撰了本套《模拟电子技术基础考试题库及解析》。

本题库严格依据主流《模拟电子技术基础》教材的核心知识点，结合多年教学经验与考试命题规律，精选了具有代表性、典型性和启发性的题目。内容涵盖半导体器件基础、基本放大电路、多级放大电路、集成运算放大电路、放大电路的频率响应、功率放大电路、直流电源以及滤波电路等主要模块。每道题目均配有详尽的解析，不仅给出标准答案，更注重解题思路的引导、关键知识点的梳理与拓展，力求达到举一反三、触类旁通的效果。

希望本题库能成为同学们学习道路上的良师益友，助力大家在模拟电子技术的世界里乘风破浪，稳步前行。

第一章半导体器件基础

半导体器件是构成各种模拟电子电路的基本单元，理解其工作原理和特性曲线是学好模拟电子技术的前提。本章主要考察二极管、三极管（BJT）及场效应管（FET）的基本概念、伏安特性及参数意义。

典型例题及解析

例题1：在常温下，硅二极管的正向导通压降约为（），锗二极管的正向导通压降约为（）。当二极管外加反向电压，且未超过其反向击穿电压时，其反向电流（）。

A.0.7V，0.2V，极小且基本不变

B.0.2V，0.7V，随反向电压增大而显著增大

C.0.7V，0.2V，随反向电压增大而显著增大

D.0.2V，0.7V，极小且基本不变

解析：本题考察二极管的基本特性。在常温（通常指25°C）条件下，硅材料二极管的正向导通压降典型值约为0.7V，锗材料二极管则约为0.2V。当二极管外加反向电压且未达到反向击穿电压时，反向电流很小，且在一定反向电压范围内（称之为死区电压以上，击穿电压以下）基本保持不变，这个电流通常称为反向饱和电流。因此，正确答案为A。

例题2：对于NPN型三极管，要使其工作在放大区，基极与发射极之间的PN结应（），集电极与基极之间的PN结应（）。

A.正向偏置，正向偏置

B.正向偏置，反向偏置

C.反向偏置，正向偏置

D.反向偏置，反向偏置

解析：本题考察三极管的放大条件。三极管工作在放大区时，其内部两个PN结的偏置状态是关键。对于NPN型三极管而言，基极电位应高于发射极电位，使发射结（基极-发射极PN结）处于正向偏置，以保证发射区能向基区注入大量载流子。同时，集电极电位应高于基极电位，使集电结（集电极-基极PN结）处于反向偏置，以保证基区的载流子能被集电区有效收集。因此，正确答案为B。需要注意的是，对于PNP型三极管，其偏置电压的极性则与NPN型相反，但两个PN结的偏置状态（发射结正偏，集电结反偏）的要求是一致的。

例题3：场效应管与双极型三极管相比，下列说法错误的是（）。

A.场效应管是电压控制型器件，三极管是电流控制型器件

B.场效应管输入电阻高，三极管输入电阻较低

C.场效应管热稳定性好，三极管热稳定性较差

D.场效应管的噪声系数通常比三极管大

解析：本题考察场效应管（FET）与双极型三极管（BJT）的性能比较。场效应管通过栅源电压控制漏极电流，是电压控制电流源（VCCS），输入电阻极高；而三极管通过基极电流控制集电极电流，是电流控制电流源（ICCS），输入电阻相对较低。由于场效应管多数载流子导电，受温度影响较小，热稳定性优于三极管（三极管存在少数载流子，受温度影响大，易产生热失控）。在噪声方面，由于场效应管没有少子注入和复合过程，其噪声系数通常比三极管小，更适合用于低噪声放大电路。因此，选项D的说法是错误的，本题正确答案为D。

第二章基本放大电路

基本放大电路是模拟电子技术的核心内容，包括共发射极、共集电极、共基极等基本组态。本章重点考察放大电路的静态分析、动态分析（电压放大倍数、输入电阻、输出电阻）、电路性能比较及故障分析。

典型例题及解析

例题1：共发射极放大电路中，若静态工作点设置过低，易产生（）失真；若静态工作点设置过高，易产生（）失真。为稳定静态工作点，常用的措施是引入（）负反馈。

A.截止，饱和，直流

B.饱和，截止，交流

C.截止，饱和，交流

D.饱和，截止，直流

解析：本题考察共发射极放大电路的非线性失真及静态工作点稳定。静态工作点Q是放大电路正常工作的基础。当Q点过低时，在输入信号的负半周，三极管可能进入截止区，导致输出信号正半周被削顶，产生截止失真。当Q点过高时，在输入信号的正半周，三极管可能进入饱和区，导致输出信号负半周被削顶，产生饱和失真