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Overviewofp-on-nnarIRFPAsatDEFIR
L.Mollard*,O.Gravrand*,N.Baier*,G.Destefanis*,G.Bourgeois*,S.Gout*,F.Rochette*,
A.Kerlain**,L.Rubaldo**,A.Manissadjian**,O.Boulade***
*CEA-LETI,17ruedesmartyrs,38054GrenobleCedex
**Sofradir,ZI-BP21,38113Veurey-Voroize
***CEA-,OrmedesMerisiers,91191GifsurYvette
E-mail:laurent.mollard@
Phone:+33(0)438789743Fax:+33(0)438785167
Inthispaper,wereportonresultsobtainedbothatCEA/LETIandSOFRADIRonp-on-nInfra-RedFocalneArrays
(IRFPAs)fromtheShort-Wave(SW)totheVery-Long-Wave(VLW)spectralrange.Formanyyears,p-on-narsenic-ion
imntednartechnologyhasbeendevelopedandimprovedwithintheframeworkofthejointlaboratoryDEFIR,a
collaborativeeffortbringingtogethertheexpertiseofbothteams.Comparedton-on-parchitecture,p-on-ntechnology
allowstolowerdarkcurrentdensityandseriesresistancebymeansofrespectivelylong-lifetimeminoritycarriers(hole)
andhigh-mobilitymajoritycarriers(electrons).Asaconsequence,p-on-nphotodiodesarewell-adaptedforverylarge
FPAsoperatingeitherathightemperatureorverylowflux.
TheMid-Wave(MW)andLong-Wave(LW)spectralrangeshavebeenfirstlyaddressedwithTV/4FPAs,30µmpitch,
principallyfordefenceandsecurityapplications.Ourresultsshowedstate-of-the-artdetectorperformances,consistent
with“Rule07”model,arelevantindicatorofthep-on-ntechnologymaturity.Thesubsequentdevelopmentsofp-on-n
imagershaveproducedmorecompact,senergyconsuming
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