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基于边界元法的矩形冗余填充耦合电容提取方法研究：理论、实践与优化

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代集成电路制造工艺中，随着技术的飞速发展，工艺尺寸不断缩小，多层金属化技术得到了广泛应用。这一趋势使得芯片的集成度大幅提高，性能得到显著提升，但同时也带来了一系列新的挑战。其中，化学机械抛光（CMP）工艺成为生产过程中不可或缺的环节。CMP工艺的主要目的是实现晶圆的平坦化，由于上层介质层的厚度对下层金属密度具有依赖性，为了改善平坦化效果，业界普遍采用增加冗余填充金属模块的方法，以保证金属密度的均一化分布。

然而，这些冗余填充金属模块的存在对电路的电容产生了不可忽视的影响。随着半导体工艺尺寸按比例缩小，在信号完整性、功率以及制造工艺等方面出现的问题愈发突出。Sinha在“ImpactofmodernprocesstechnologiesontheelectricalparametersofinterconnectsProceedingsofthe20thInternationalConferenceonVLSIDesign”一文中指出，冗余金属填充可使关键线网的总电容最多增加到2.6倍。冗余填充所产生的耦合效应会导致信号延迟、噪声增加等问题，严重影响电路的性能和可靠性，对电路信号产生负面影响。因此，考虑冗余填充金属对互连的耦合效应已成为业界的研究热点，精确掌握并计算冗余填充带来的耦合电容的数值具有重要意义。

准确提取矩形冗余填充耦合电容，对于集成电路的设计和性能优化至关重要。在集成电路设计过程中，只有精确了解耦合电容的数值，才能进行准确的电路仿真和分析，从而优化电路设计，提高芯片的性能和可靠性。此外，随着集成电路制造工艺的不断进步，对耦合电容提取的精度和效率提出了更高的要求。传统的耦合电容提取方法在面对矩形冗余填充这种复杂结构时，往往存在数据输入繁琐、计算效率低下等问题，难以满足当前集成电路设计的需求。因此，研究一种高效、准确的基于边界元法的矩形冗余填充耦合电容提取方法具有重要的现实意义和应用价值。

1.2国内外研究现状

在集成电路领域，关于耦合电容提取以及矩形冗余填充的研究一直是热点话题，国内外众多学者和研究机构在这方面取得了丰硕的成果。

国外对于耦合电容提取方法的研究起步较早，在数值模拟法的发展历程中，1991年，美国麻省理工学院的J.White教授开发了采用准静电场近似提取电容参数的FastCap，为后续的研究奠定了重要基础。2003年，德州农机大学的W.Shi开发出的参数提取软件Wiiicap将FastCap的计算速度提高了60倍，使得电容提取效率得到显著提升。当前，国外已经涌现出一系列成熟的互连寄生参数提取软件，如Avant!公司基于有限差分法的2D/3D互连分析软件Raphael，Ansoft公司基于有限元法的Spicelink，以及J.White等人基于间接边界元法的FastCap、Quickcap、Acradia、AutoBEM等。这些软件在不同程度上满足了集成电路设计中对寄生电容提取的需求，但对于矩形冗余填充这种特殊结构，存在数据输入繁琐、计算效率低下等问题。

国内的研究也在积极跟进，众多科研团队和高校在该领域展开了深入研究。西安电子科技大学的董刚等人提出了一种基于边界元法的矩形冗余填充耦合电容提取方法，该方法视互连线与冗余填充金属为普通导体并建立三维坐标系，选取互连线个数、冗余金属填充个数、导体几何中心的坐标集合、导体长度集合、导体宽度集合、导体高度集合这六个关键参数作为完全描述矩形冗余金属填充的参数集合，利用间接边界元法建立电容矩阵，有效提高了数据输入和计算效率，实现了大量矩形冗余金属填充的快速提取。该方法在一定程度上解决了现有提取工具存在的问题，为国内在该领域的研究提供了重要参考。

在矩形冗余填充方面，研究主要集中在填充方法和对电路性能影响的分析。国外有研究致力于优化冗余填充的布局和形状，以降低其对电路性能的负面影响，如通过调整冗余填充的分布方式，减少耦合电容对信号完整性的干扰。国内也有相关研究，中芯国际集成电路制造(北京)有限公司、中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请的名为“冗余填充方法、装置、存储介质及电子设备”的专利，利用遗传算法对预设冗余图形库中冗余图形单元进行筛选，得到可用于填充的冗余图形组合，提高了对图形负载效应的改善效果。

总体而言，国内外在基于边界元法提取耦合电容以及矩形冗余填充方面都取得了一定的成果，但仍存在一些问题亟待解决。例如，如何进一步提高耦合电容提取的精度和效率，如何更好地优化矩形冗余填充的方式以降低其对电路性能的不利影响等。本研究将在前人研究的基