集成电路材料及器件物理基础.ppt

第2章集成电路材料与器件

物理基础2.1集成电路材料2.2PN结及二极管2.3双极型晶体管2.4场效应晶体管

2.1集成电路材料2.1.1集成电路材料及其分类2.1.2半导体材料的特性

2.1.1集成电路材料及其分类材料按导电性能分为导体、半导体和绝缘体三类。集成电路制造中，应用到的材料分类有：导体——铝、金、钙、铜等；半导体——硅、锗、砷化镓、磷化铟等；绝缘体——SiO2、SiON、Si3N4等。

2.1.2半导体材料的特性半导体材料是集成电路制造的主要材料，它具有以下特性：（1）掺入杂质后，可以明显改变半导体的电导率；（2）受到外界热刺激时，其导电能力发生显著变化；（3）光照可以改变其电导率，称为半导体的光电效应；（4）多种半导体注入电流时会发光，可制成发光二极管和激光二极管。

集成电路材料作用半导体：集成电路衬底，基本元件导体：器件本身的接触线，器件间的互连线，焊盘绝缘体：生成器件表面的钝化层，掩膜

2.2PN结及二极管2.2.1N型材料和P型材料2.2.2PN结工作原理2.2.3PN结二极管及其应用2.2.4肖特基二极管

2.2.1N型材料和P型材料图1用比硅原子多一个电子的原子替代硅原子，可以看到这个额外电子不会形成共价键。图2用比硅原子少一个电子的原子替代硅原子，就因缺少一个电子而形成空穴。

2.2.1N型材料和P型材料图3在没有外加能量的情况下，N型材料的自由电子无法进入P型材料。

2.2.2PN结工作原理图4PN结二极管原理图及电路符号。

2.2.2PN结工作原理图5达到正偏压之后，电流线性增加直到饱和。

2.2.3PN结二极管及其应用图6二极管中电流单向流动，因此可以用于检波。

2.2.4肖特基二极管

2.2.4肖特基二极管肖特基二极管欧姆接触金属+重掺杂半导体

2.3双极型晶体管2.3.1BJT工作原理2.3.2纵向工艺

2.3.1BJT工作原理图7双极晶体管原理图及电路符号

2.3.1BJT工作原理由于晶体管有两个PN结，所以它有四种不同运用状态（1）发射结正偏，集电结反偏时，为放大工作状态；（2）发射结正偏，集电结也正偏时，为饱和工作状态；（3）发射结反偏，集电结也反偏时，为截止工作状态；（4）发射结反偏，集电结正偏时，为反向工作状态。

2.3.2纵向工艺图8因为需要接管脚，横向NPN版图迫使P区变大。纵向晶体管中P区的宽度比FET中两个N区之间栅长要短得多。

2.3.3纵向工艺

2.4场效应晶体管2.4.1增强型器件和耗尽型器件2.4.2MOSFET工作原理2.4.3互补型开关2.4.4CMOS逻辑电路2.4.5MOSFET和NPN晶体管的特性比较

2.4.1增强型器件和耗尽型器件图9如果半导体材料中到处都是自由电子，那么电流就可以从源端流到漏端。如果一个区域的空穴被吸引到了半导体材料的中间部位，那么PN结将阻止电流流过。

2.4.1增强型器件和耗尽型器件图10耗尽型场效应管在开态和关态的情况及其电路符号

2.4.1增强型器件和耗尽型器件图11增强型场效应管的开态和关态情况

2.4.2MOSFET工作原理

2.4.2MOSFET工作原理

2.4.2MOSFET工作原理，预夹断

2.4.3互补型开关

2.4.4CMOS逻辑电路栅加正电压，N管开启；栅加负电压，P管开启。

A0011B0101V1110

2.4.5MOSFET和NPN晶体管的特性比较功耗开关速度CMOS电路的功耗要低得多双极晶体管更快