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高级单晶理论考试及答案

一、单项选择题（每题2分，共10题）

1.单晶生长中，籽晶的作用是（）

A.提供结晶核心B.增加晶体纯度C.控制生长速度D.改变晶体形状

2.以下哪种方法不属于单晶生长常用方法（）

A.提拉法B.区熔法C.蒸发法D.水热法

3.单晶的晶格结构特点是（）

A.长程无序B.短程有序C.长程有序D.完全无序

4.影响单晶生长质量的关键因素不包括（）

A.温度B.压力C.杂质D.容器材质

5.单晶生长时，过饱和度的作用是（）

A.使晶体溶解B.提供生长驱动力C.降低生长速度D.改变晶体颜色

6.提拉法生长单晶时，拉速过快可能导致（）

A.晶体缺陷增多B.晶体纯度提高C.晶体生长缓慢D.晶体形状规则

7.区熔法的主要优点是（）

A.可生长大尺寸单晶B.能有效提纯C.设备简单D.生长速度快

8.单晶的物理性质在不同方向上（）

A.完全相同B.部分相同C.存在差异D.无规律

9.水热法生长单晶通常在（）条件下进行。

A.高温高压B.低温低压C.常温常压D.高温低压

10.以下哪种元素在单晶中属于杂质（）

A.硅B.锗C.硼D.铜

答案：1.A2.C3.C4.D5.B6.A7.B8.C9.A10.D

二、多项选择题（每题2分，共10题）

1.单晶生长过程中需要控制的参数有（）

A.温度B.湿度C.生长速度D.气体氛围

2.提拉法生长单晶的优点包括（）

A.可精确控制晶体尺寸B.生长速度快C.能生长多种晶体D.设备成本低

3.影响单晶纯度的因素有（）

A.原料纯度B.生长环境C.生长方法D.晶体结构

4.以下属于常见的单晶生长设备的有（）

A.单晶炉B.高温炉C.区熔炉D.水热反应釜

5.单晶的应用领域包括（）

A.半导体B.光学C.医疗D.航空航天

6.提高单晶质量的措施有（）

A.优化生长工艺B.提高原料纯度C.减少外界干扰D.加快生长速度

7.区熔法生长单晶的特点有（）

A.适合生长高熔点材料B.能实现局部加热C.可有效去除杂质D.晶体生长均匀性好

8.水热法生长单晶的优势在于（）

A.能在温和条件下生长B.可生长特殊结构晶体C.晶体质量高D.生长效率高

9.单晶的缺陷类型包括（）

A.点缺陷B.线缺陷C.面缺陷D.体缺陷

10.选择籽晶时需要考虑的因素有（）

A.晶体结构B.晶格常数C.纯度D.尺寸

答案：1.ACD2.ABC3.ABC4.ACD5.ABCD6.ABC7.ABCD8.ABC9.ABC10.ABCD

三、判断题（每题2分，共10题）

1.单晶是指晶体内部的原子呈无序排列的晶体。（）

2.提拉法生长单晶时，转速对晶体质量没有影响。（）

3.杂质在单晶中一定是有害的。（）

4.区熔法生长单晶时，熔区移动速度越快越好。（）

5.水热法生长单晶可以在开放体系中进行。（）

6.单晶的密度在各个方向上是相同的。（）

7.提高生长温度一定能提高单晶的生长速度。（）

8.籽晶的质量对最终单晶的质量有重要影响。（）

9.单晶生长过程中，只要控制好温度就可以得到高质量晶体。（）

10.不同的单晶生长方法适用于不同类型的晶体。（）

答案：1.×2.×3.×4.×5.×6.×7.×8.√9.×10.√

四、简答题（每题5分，共4题）

1.简述提拉法生长单晶的基本原理。

答案：将籽晶固定在提拉装置上，浸入装有熔体的坩埚中，控制温度使熔体保持适当过热度。缓慢提拉籽晶并旋转，熔体在籽晶表面结晶，随着提拉和旋转，晶体不断生长。

2.区熔法生长单晶的主要优势是什么？

答案：能有效提纯，通过局部加热熔化再结晶，可使杂质向一端移动从而去除；适合生长高熔点材料，局部加热易实现高温条件；晶体生长均匀性较好。

3.水热法生长单晶对反应体系有哪些要求？

答案：需密封高压反应体系，保证足够压力；合适的温度范围，一般在较高温度；要有合适的溶剂和溶质，为晶体生长提供物