硅基应变引入方法及其对MOS器件性能影响的深度剖析.docx

硅基应变引入方法及其对MOS器件性能影响的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今数字化时代，集成电路作为现代信息技术的基石，其性能的提升对于推动科技进步和社会发展具有至关重要的作用。随着科技的飞速发展，人们对电子设备的性能要求日益提高，这使得高性能的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）成为集成电路领域的研究热点。在现代集成电路中，速度和功耗的需求越来越高，这要求MOSFET必须具备更好的导电性能和更快的开关速度，以满足如人工智能、大数据处理、5G通信等新兴技术对计算速度和数据传输速率的严苛要求。

应变硅技术的出现，为提升MOS器件性能提供了新的途径。应变硅MO