探索ZnMgO合金薄膜与量子阱结构：制备工艺与光学特性解析.docx

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2025-09-16 发布于上海
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探索ZnMgO合金薄膜与量子阱结构：制备工艺与光学特性解析

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今科技飞速发展的时代，半导体材料作为现代电子学的基石，始终处于科学研究和技术创新的前沿。从早期的硅基半导体引领电子计算机的诞生，到如今化合物半导体在光电子、通信等领域的广泛应用，半导体材料的每一次突破都极大地推动了相关产业的变革与进步。随着半导体器件尺寸不断朝着纳米级甚至更小尺度迈进，摩尔定律所面临的挑战日益严峻，传统半导体材料在性能上逐渐逼近其物理极限，寻找新型半导体材料已成为全球科研人员共同关注的焦点。在众多崭露头角的新型半导体材料中，ZnMgO合金薄膜及其量子阱结构凭借独特的物理性质和广