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硅纳米晶体氧化历程与发光性能关联的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

硅作为一种广泛应用的半导体材料，在微电子领域发挥着举足轻重的作用。随着纳米科技的迅猛发展，硅纳米晶体（SiliconNanocrystals，SiNCs）因其独特的量子尺寸效应、小尺寸效应、表面效应和宏观量子隧道效应等，展现出与体硅材料截然不同的物理化学性质，在众多领域展现出巨大的应用潜力。

在光电器件领域，硅纳米晶体有望解决硅基材料发光效率低的难题，为实现硅基光电子集成提供可能。传统的硅材料由于其间接带隙的特性，发光效率较低，限制了其在光电器件中的应用。而硅纳米晶体尺寸减小到一定程度时，量子限制效应使得其能带结