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碳化硅单晶片残余应力测试光弹法标准立项发展报告
摘要
本报告旨在系统阐述采用光弹法对碳化硅（SiC）单晶片残余应力进行定量测试的立项背景、目的意义及技术内容。碳化硅作为新一代宽禁带半导体材料，在5G通信、电动汽车及新能源等领域具有重要战略价值。随着下游应用对材料质量要求的不断提高，残余应力导致的晶片缺陷问题日益凸显，严重影响外延良率和器件性能。光弹法作为一种无损、定量化的检测手段，可有效解决碳化硅单晶片残余应力的精确测量问题，填补国内相关标准空白，推动产业技术升级与国际竞争力提升。
要点列表
-碳化硅是国家战略新材料，被列入“十四五”重点支持领域。
-残余应力导致晶片形变、微裂纹、位错等缺
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