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第二章常用半导体器件原理

本章从半导体器件的工作机理出发，介绍半导体物理基础知识，包括本征半

导体，杂质半导体，PN结；分别讨论晶体二极管的特性和典型应用电路，双极型晶体管和场效应管的结构、工作机理、特性和应用电路，重点是掌握器件的特性。

2.1半导体物理基础2.1.1半导体与绝缘体、导体的区别

导体：对电信号有良好的导通性，如绝大多数金属，电解液，以及电离气体。

绝缘体：对电信号起阻断作用，如玻璃和橡胶，其电阻率介于10⁸~10²0Ω·m。

半导体：导电能力介于导体和绝缘体之间，如Si、Ge和GaAs等。

导带↵空带

半导体的导电能力随温度、光照和掺杂等因素发生显著变化，这些特点使它们成

为制作半导体元器件的重要材料。

◎

满带

导带

半满带

媒质

导带↵

禁带

价带

禁带

价带

价带

硅和锗的原子最外层轨道上都有四个电子，称为价电子，

每个价电子带一个单位的负电荷。因为整个原子呈电中性，而

其物理化学性质很大程度上取决于最外层的价电子，所以，硅

和锗原子可以用简化模型代表。

2.1.2本征半导体纯净的硅和锗单晶体称为本征半导体。

第二章常用半导体器件原理

+14)

+4

价电子可以获得足够大的能量，挣脱共价

键的束缚，游离出去，成为自由电子，并在共价键处留下带有一个单位的正电荷的空穴。这个过程称为本征激发。

本征激发产生成对的自由电子和空穴，所

以本征半导体中自由电子和空穴的数量相等。

每个原子最外层轨道上的四

个价电子为相邻原子核所共有，形成共价键。共价键中的价电子是不能导电的束缚电子。

第二章常用半导体器件原理

+4

+4

+4

!

价电子的反向递补运动等价为空穴在

半导体中自由移动。因此，在本征激

发的作用下，本征半导体中出现了带

负电的自由电子和带正电的空穴，二

者都可以参与导电，统称为载流子。

自由电子和空穴在自由移动过程中相遇时，自由电子填入空穴，释放出能量，从而消失一对载流子，这个过程称为复合。

+4+4

◎

+4+4

II

空穴I移动方向

o.

+4+4

八

I

第二章常用半导体器件原理

+4

+4

/I

价电子移动方向

II

+4

其中T为绝对温度(K);EG₀为T=0K时的禁带宽度，硅原子为1.21eV,锗

为0.78eV;k=8.63×10-⁵eV/K为玻尔兹曼常数；A₀为常数，硅材料为3.87×10¹6cm-³K-3/2,锗为1.76×101⁶cm-³K-3/2。

平衡状态时，载流子的浓度不再变化。分别用n.和p;表示

自由电子和空穴的浓度(cm-³),理论上

第二章常用半导体器件原理

一、N型半导体(掺磷)

在本征半导体中掺入五价原子，即构成N

型半导体。N型半导体中每掺杂一个杂质元素

的原子，就提供一个自由电子，从而大量增加了自由电子的浓度——施主电离

多数载流子一一自由电子

少数载流子一一空穴

但半导体仍保持电中性

自由电子浓度nn≈ND杂质浓度

热平衡时，杂质半导体中多子浓度和少子浓度的乘积恒等于本征半导体中载流

子浓度n的平方，所以空穴的浓度p为

+4+4+4

键外电子I●

+4(+5+4二：

!!施主原子!!

第二章常用半导体器件原理

因为n容易受到温度的影响发生显著变化，所以pₙ也随环境的改变明显变化。

+4)二!!

+4!!

●

一●

!!

+4

二、P型半导体(掺硼)

在本征半导体中掺入三价原子，即构成

P型半导体。P型半导体中每掺杂一个杂质元素的原子，就提供一个空穴，从而大量增加了空穴的浓度——受主电离

多数载流子一一空穴

少数载流子一一自由电子

但半导体仍保持电中性

而自由电子的浓度n为

环境温度也明显影响n,的取值。

第二章常用半导体器件原理

PpVA

空穴浓度

掺杂浓庹

漂移电流：在电场的作用下，自由电子会逆着电场方向漂移，

而空穴则顺着电场方向漂移，这样产生的电流称为漂

移电流。该电流的大小主要取决于载流子的浓度，迁移率和电场强度。

扩散电流：半导体中载流子浓度不均匀分布时，载流子会从

高浓度区向低浓度区扩散，从而形成扩散电流。该电流的大小正比于载流子的浓度差即浓度梯度的大小。

半导体中载流子(电子与空穴)进行定向运动，就会形成半导

体中的