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半导体器件原理
秦明
东南大学MEM教育部重点实验室
Tel:025ext.8809Email:mqin@seu.edu.cn
半导体器件
■教材：
半导体器件基础，RobertF.Pierret著,黄如等译，电子工业出版社
■参考书：
半导体器件物理，刘树林等编著,电子工业出版社
微电子技术基础一双极、场效应晶体管原理，电
子工业出版社，曹培栋编著
半导体器件原理
半导体器件
一.半导体物理基础
二.pn结
三.B.JT
四.MOSFET
五.JFET/MESFET简介
半导体器件
半导体器件
微电子学简介：
固态电子学分支之一
半导体物理基础
半导体器件
向高集成度、低功耗、
高性能高可靠性电路方
向发展
与其它学科互相渗透，
形成新的学科领域：
光电集成、MEMS、生
物芯片
●半导体器件物理
●集成电路工艺
●集成电路设计和测试
半导体物理基础
半导体器件
什么是半导体?
固体材料分成：超导体、导体、半导体、绝缘体
Fermilevelfallsbetween
Fermilevelfallsbetween
Fermilevelfallsinside
bands,withalargeband
SiO₂:9eV.
gap.
bands,withasmallband
Si:1.11eV,Ge:0.67eV,
GaAs:1.43
gap.theenergyband.Easyforelectronstomovearound
半导体及其基本特性
Laraccnergu
gepbetw0en
valenceand
conductionbands.
ValenceBand
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ValenceBand
ConductionBond
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D.Sem1conductorC.Conductor
半导体器件
ConductionBand
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40
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41
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42
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44
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47
Ag
48
Cd
49
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50
Sn
51
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54
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56
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57
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72
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74
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76
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77
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78
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79
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84
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85
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87
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89
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104
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105
Ha
106
Sg
107
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108
Hs
109
M
110
110
111
111
112
112
113
113
Whataresemiconductors
Romannumeral
Elements:Si.Ge.C
Binary:GaAs,InSb,SiC,CdSe,etc.
Ternary+:AlGaAs,InGaAs,etc.
半导体器件
givesvalence
2
3
4
5
6
7
0
1
■纯度
极高，杂质1013cm-3
■结构
半导体材料的纯度和晶体结构
Polvcrystallineamorphouscrystalline
半导体器件
晶体结构
■单胞
对于任何给定的晶体，可以用来形成其晶体结构的
最小单元
■三维立方单胞
简立方、体心立方、面立方
(a)(b)
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