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《模拟电子技术》试题与答案

一、选择题（每小题2分，共20分）

1.某硅二极管正偏时测得端电压为0.7V，若将其与1kΩ电阻串联后接于3V直流电源，忽略二极管反向电流，则电路中电流约为（）。

A.2.3mAB.3mAC.0.7mAD.1.15mA

2.三极管工作在放大区时，发射结和集电结的偏置状态为（）。

A.发射结正偏，集电结正偏B.发射结正偏，集电结反偏

C.发射结反偏，集电结正偏D.发射结反偏，集电结反偏

3.共集电极放大电路的主要特点是（）。

A.电压增益高，输入电阻小，输出电阻大

B.电压增益近似为1，输入电阻大，输出电阻小

C.电压增益低，输入电阻小，输出电阻小

D.电压增益高，输入电阻大，输出电阻小

4.某场效应管的转移特性曲线显示，当UGS=0时ID=5mA，UGS=-2V时ID=0，则该管为（）。

A.N沟道增强型MOSFETB.P沟道耗尽型MOSFET

C.N沟道结型场效应管D.P沟道增强型MOSFET

5.引入电压并联负反馈后，放大电路的（）。

A.输入电阻增大，输出电阻增大B.输入电阻减小，输出电阻减小

C.输入电阻增大，输出电阻减小D.输入电阻减小，输出电阻增大

6.集成运放构成的反相比例运算电路中，若输入电阻为R1，反馈电阻为Rf，则闭环电压增益Auf=（）。

A.Rf/R1B.-Rf/R1C.1+Rf/R1D.-(1+Rf/R1)

7.差分放大电路抑制零点漂移的主要原因是（）。

A.采用双电源供电B.电路参数对称

C.引入发射极公共电阻D.采用复合管结构

8.乙类互补对称功率放大电路的效率理论最大值约为（）。

A.25%B.50%C.78.5%D.90%

9.整流电路中，若输入50Hz正弦交流电，采用桥式整流加电容滤波，输出电压平均值约为输入电压有效值的（）倍（忽略二极管压降）。

A.0.45B.0.9C.1.2D.1.4

10.欲设计一个频率为1kHz的正弦波振荡电路，优先选用的振荡类型是（）。

A.RC桥式振荡B.LC并联振荡C.石英晶体振荡D.差分振荡

二、填空题（每空2分，共20分）

1.半导体二极管的核心特性是__________，其正向导通时硅管压降约为__________V。

2.三极管的三个工作区域为__________、__________和截止区。

3.放大电路的静态工作点设置不当会导致__________失真（饱和或截止），通过调整__________电阻可改善。

4.负反馈放大电路的反馈深度定义为__________，当反馈深度远大于1时称为__________反馈。

5.差分放大电路的差模电压增益为Ad，共模电压增益为Ac，则共模抑制比KCMR=__________（用对数表示）。

6.集成运放的两个重要输入特性是__________和__________（理想情况下）。

三、分析计算题（共50分）

1.（10分）图1所示为二极管限幅电路，其中VD1、VD2为理想二极管，ui=5sinωt（V），试画出输出电压uo的波形，并标注关键幅值。

（注：图1中，电源V1=3V，V2=-2V，二极管VD1阳极接ui，阴极接V1后接地；VD2阴极接ui，阳极接V2后接地，uo从VD1与VD2之间引出。）

2.（12分）图2为固定偏置共射放大电路，已知VCC=12V，RB=300kΩ，RC=3kΩ，三极管β=50，UBE=0.7V，rbb’=200Ω，C1、C2足够大。

（1）计算静态工作点Q（IBQ、ICQ、UCEQ）；

（2）画出小信号等效电路，计算电压增益Av、输入电阻Ri、输出电阻Ro。

3.（10分）图3为N沟道耗尽型MOSFET放大电路，已知UGS(off)=-4V，IDSS=8mA，rds很大可忽略。

（1）求静态时UGSQ、IDQ；

（2）若gm=2mS，计算电压增益Av=uo/ui。

4.（8分）某负反馈放大电路的开环增益A=10^4，反馈系数F=0.01，求闭环增益Af；若A变化±10%，求Af的相对变化量。

5.（10分）图4为集成运放构成的运算电路，已知R1=10kΩ，R2=20kΩ，R3=20kΩ，R4=10kΩ，C=1μF，ui1=0.5V，ui2=1V，t=0时uC(0)=0。

（1）写出uo1与ui1、ui2的关系式；

（2）写出uo与uo1的