焦耳热作用下Sn基钎料电迁移行为及晶须生长机制研究.docx

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2025-09-20 发布于上海
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焦耳热作用下Sn基钎料电迁移行为及晶须生长机制研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代电子技术飞速发展的浪潮中，微电子封装技术作为实现电子器件小型化、高性能化的关键支撑，正不断朝着尺寸减小、集成度提高的方向迈进。随着芯片尺寸的持续缩小以及引脚数量的日益增加，电子元件的集成度得到了显著提升。与此同时，互连焊点的直径和间距不断缩小，导致其中电流密度急剧增大，可达10^4A/cm^2甚至更高。这种高密度电流的作用，使得互连焊点中的原子或离子在电子迁移的影响下，出现成分偏析现象，进而引发丘凸和空洞的产生，最终导致微互连焊点电迁移失效。这一问题严重威胁着电子产品的性能和高可靠性，已成为电子元器件