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Ⅲ-Ⅴ族半导体电子与光电子器件：性能剖析与机理探究

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代科技飞速发展的进程中，半导体材料作为核心基础，对众多领域的变革与创新起着关键的推动作用。其中，Ⅲ-Ⅴ族半导体凭借其独特且优异的物理性质，在电子与光电子器件领域占据了举足轻重的地位，成为了科研人员广泛关注与深入研究的焦点。

Ⅲ-Ⅴ族半导体是由元素周期表中Ⅲ族元素（如镓（Ga）、铟（In）、铝（Al））与Ⅴ族元素（如氮（N）、磷（P）、砷（As）、锑（Sb））相互化合而形成的化合物半导体材料。这类半导体具有一系列令人瞩目的特性，为其在高性能器件中的应用奠定了坚实基础。首先，Ⅲ-Ⅴ族半导体具备